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在电子系统中，提高开关速度并降低EMI
在电子系统中，MOSFET" target="_blank">MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)作为一种常用的开关器件，其开关过程中的电磁干扰(EMI)问题备受关注。
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选定电源IC与MOS管之后，如何选择合适的驱动电路？
驱动电路作为电源 IC 与 MOS 管的 “桥梁”，其选型需满足三大核心要求：快速充放电能力(确保 MOS 管开关速度)、参数匹配性(适配 IC 驱动能力与 MOS 特性)、稳定性与损耗平衡(抑制振荡并降低功耗)。具体需优先评估两个关键参数： 电源 IC 的驱动峰值电流：查阅芯片手册确认最大输出电流，若电流不足，MOS 管栅极寄生电容(Ciss)无法快速充电，会导致开关延迟和损耗增加。 MOS 管的寄生电容特性：Ciss 值越小，驱动所需能量越少;若 Ciss 较大，需对应提升驱动电路的电流供给能力，否则会引发上升沿振荡或开关效率下降。
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三极管的工作原理是什么？如何提高三极管的开关速度？
一直以来，三极管都是大家的关注焦点之一。因此针对大家的兴趣点所在，小编将为大家带来三极管的相关介绍，详细内容请看下文。
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提高三极管的开关速度的几种方法？
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三极管的开关速度
晶体管的开关速度即由其开关时间来表征，开关时间越短，开关速度就越快。BJT的开关过程包含有开启和关断两个过程，相应地就有开启时间ton和关断时间toff，晶体管的总开关时间就是ton与toff之和。 如何提高晶体管的开关速度?——可以从器件设计和使用技术两个方面来加以考虑。
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IGBT可靠性分析 输出电压沿速率与开关速率的关系
现如今科技飞速发展，传统的电力转化已经无法满足电力设备的需要。新型变频设备崛起的同时，大功率IGBT的应用也逐渐增多起来，IGBT的可靠性直接关系到变频的效率与电力设备
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松下通过GaN倒装芯片封装技术 电路开关速度提高1.7倍
松下首次参加了2014年5月于德国举行的功率电子领域全球最大规模的展会“PCIM Europe”。该公司的亮点展品是由采用GaN及SiC等新一代功率半导体元件构成的电源电路和模块产品。 松下积极展示的是采用600V
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科学家发现磁铁矿电子开关速度可达万亿分之一秒
近日消息，美国科学家表示，他们发现普通磁铁矿内的电子开关一次仅需万亿分之一秒，这一速度或许创下了新高。发表在今天出版的《自然·材料学》杂志的最新研究将有助于科学家们研制出更“迷你”的晶
