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低压大电流DC-DC中Si MOSFET的导通损耗与开关损耗权衡
12V转1.2V、50A输出——当降压比压到10:1，电流飙到50A量级时，Si MOSFET面临一个残酷的选择题：选低RDS(on)的管子，导通损耗小了，但Qg大了，开关损耗反而飙升;选低Qg的快管，开关损耗降了，但RDS(on)偏高，大电流下导通损耗吃掉效率。这道题没有标准答案，只有最优解。
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在电力电子领域，ZVS技术主要的两种实现方式
在电力电子领域，开关损耗是影响系统效率的关键因素之一。传统硬开关技术中，开关器件在导通或关断时，电压与电流波形存在重叠，导致显著的功率损耗。
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开关损耗的成因与PWM控制的优化原理
随着全球能源结构向清洁化转型，光伏发电作为可再生能源的代表，其核心设备——光伏逆变器的效率与可靠性直接决定了发电系统的经济性。
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驱动器源极引脚MOSFET驱动电路开关损耗改善措施
在高频功率转换电路中，MOSFET凭借开关速度快、导通电阻小、驱动功率低等优势，成为核心开关器件，其开关损耗直接决定电路转换效率、器件温升及系统可靠性。驱动器源极引脚作为MOSFET驱动环路的关键节点，其寄生参数、连接方式及驱动策略的合理性，对开关损耗产生显著影响。
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逆变电源有哪些劣势？逆变电源开关损耗和导通损耗有什么区别？
在这篇文章中，小编将为大家带来逆变电源的相关报道。如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣，不妨继续往下阅读哦。
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什么是开关损耗？影响开关损耗的主要因素有哪些
一直以来，逆变电源都是大家的关注焦点之一。因此针对大家的兴趣点所在，小编将为大家带来逆变电源的相关介绍，详细内容请看下文。
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开关损耗：电力电子系统中的关键挑战与优化策略
无论是手机充电器、电动汽车逆变器，还是工业变频器，开关器件(如MOSFET、IGBT)在导通与关断状态切换时产生的能量损耗，直接决定了设备的发热量、体积和可靠性。
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SiC 器件的效率潜力与驱动技术瓶颈
在新能源汽车领域，牵引逆变器作为电能转换核心，其效率直接决定车辆续航里程。碳化硅(SiC)MOSFET 凭借开关损耗降低 70% 以上的显著优势，已成为下一代高功率牵引逆变器的优选器件，尤其适用于 150kW 及以上功率等级的系统。然而，SiC 器件的高频开关特性易引发电压电流过冲，传统固定栅极驱动方案难以适配复杂工况下的动态需求 —— 高驱动强度虽能降低开关损耗，却会加剧过冲风险;低驱动强度虽保障可靠性，却浪费了 SiC 的高效潜力，导致系统效率未能充分释放。实时可变栅极驱动强度技术通过动态调整驱动参数，实现损耗控制与可靠性的精准平衡，为 SiC 牵引逆变器的效率跃升提供了关键解决方案。
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优化 MDD 超快恢复二极管的封装与散热，提高系统稳定性
在现代电子技术的飞速发展中，MDD 超快恢复二极管凭借其反向恢复时间短、开关损耗低等显著优势，在高频开关电源、功率因数校正(PFC)电路以及新能源等诸多领域得到了极为广泛的应用。然而，随着应用场景对功率密度和系统可靠性要求的不断提升，二极管的封装与散热问题日益凸显，成为影响其性能和系统稳定性的关键因素。优化 MDD 超快恢复二极管的封装与散热设计，对于提高系统稳定性、延长设备使用寿命具有至关重要的意义。
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如何计算MOSFET驱动电流？哪些因素影响MOSFET开关损耗
在下述的内容中，小编将会对MOSFET的相关消息予以报道，如果MOSFET是您想要了解的焦点之一，不妨和小编共同阅读这篇文章哦。
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并联MOSFET有何优势？MOSFET开关损耗是怎么回事
MOSFET将是下述内容的主要介绍对象，通过这篇文章，小编希望大家可以对MOSFET的相关情况以及信息有所认识和了解，详细内容如下。
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LLC谐振拓扑降低开关损耗,提高效率
在当前的全球能源危机中,重点是提高效率,电子产品面临着高性能、低耗电的严峻挑战。由于这场危机,世界各地的各种政府机构已经或正在考虑提高其各自规格的众多产品的效率标准。用传统的硬开关转换器很难达到这些效率规格。电源设计者需要考虑软开关拓扑,以提高效率,并允许更高频率的操作。
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降压转换器顶部FET Q1的典型开关波形和损耗
MOSFET 开关损耗,真正的晶体管需要时间才能打开或关闭。因此，在导通和关断瞬变期间存在电压和电流重叠，从而产生交流开关损耗。
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全新双向DC-DC转换器的设计与分析
本文主要介绍全新双向DC-DC转换器的设计与分析。这项全新的拓扑及其控制策略彻底解决了传统双向DC-DC转换器(电源容量及效率有限)中存在的电压尖峰问题。
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如何计算开关损耗？各环节开关损耗如何计算？
今天，小编将在这篇文章中为大家带来计算开关损耗的方法的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对它具备清晰的认识，主要内容如下。
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MOS管怎么用？从认识米勒效应、开关损耗、参数匹配及选型入手
本文来源于面包板社区要比喻的话，三极管像绿皮车，MOS管像高铁。MOS管即场效应管（MOSFET），属于压控型，是一种应用非常广泛的功率型开关元件，在开关电源、逆变器、直流电机驱动器等设备中很常见，是电力电子的核心元件。MOS管有N沟道和P沟道之分，N沟道相当于NPN的三极管；P...
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【世说芯品】Microchip推出首款完全可配置的碳化硅MOSFET数字栅极驱动器，可将开关损耗降低50%，同时加快产品上市
随着对电动公共汽车和其他电气化重型运输车辆的需求增加，以满足更低的碳排放目标，基于碳化硅的电源管理解决方案正在为此类运输系统提供更高效率。为了进一步完善其丰富的碳化硅MOSFET分立和模块产品组合，MicrochipTechnologyInc.（美国微芯科技公司）宣布推出一款全新的1200V可直接用于生产的数字栅极驱动器，为系统开发人员提供多层级的控制和保护，以实现安全、可靠的运行并满足严格的运输要求。对于基于碳化硅的电源转换设备的设计人员来说，Microchip的AgileSwitch®2ASC-12A2HP1200V双通道数字栅极驱动器采用了AugmentedSwitching™技术，完全...
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MOS管怎么用？从认识米勒效应、开关损耗、参数匹配及选型开始
▼点击下方名片，关注公众号▼❤MOS管即场效应管（MOSFET），属于压控型，是一种应用非常广泛的功率型开关元件，在开关电源、逆变器、直流电机驱动器等设备中很常见，是电力电子的核心元件。❤MOS管有N沟道和P沟道之分，N沟道相当于NPN的三极管；P沟道相当于PNP的三极管。实际设...
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英飞凌推出全新采用TO-247-3-HCC封装的TRENCHSTOP 5 WR6系列，带来更佳的系统可靠性
近日，英飞凌科技股份公司推出了全新分立式封装的650 V TRENCHSTOP 5 WR6系列。
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你知道开关节点产生的开关损耗怎么计算吗？
伸缩门开关节点产生的开关损耗?应该如何计算?本文将探讨开关节点产生的开关损耗。
