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FET 关断电压缓冲的核心必要性
反向转换器(尤以反激式拓扑为典型)中，功率 MOSFET 关断瞬间面临的电压尖峰是制约电路可靠性的关键问题。其本质是变压器漏感与 MOSFET 输出电容(Coss)发生高频谐振，叠加次级反射电压(VOR)后形成过冲电压，公式可表示为：\(V_{peak} = V_{DC} + L_\sigma \cdot \frac{di}{dt}\)。在 700V 母线电压、200kHz 开关频率的工况下，仅 10nH 的寄生电感就可能产生 100-500V 的尖峰，远超 1200V 等级器件的安全裕量。这种尖峰不仅易导致 MOSFET 雪崩击穿，还会加剧电磁干扰(EMI)和关断损耗，因此必须通过缓冲电路实现电压抑制与能量吸收。
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如何解决MOS管尖峰带来的影响？如何选择MOS管封装？
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MOS管尖峰产生的原因是什么？如何解决MOS管尖峰
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尖峰吸收电路原理
在电力电子技术领域，尤其是在开关电源和逆变器等高频开关电路中，尖峰吸收电路扮演着至关重要的角色，它是一种有效的防护措施，用于抑制因开关过程中产生的瞬态过电压(电压尖峰)及其伴随的浪涌电流，从而保护功率半导体器件免受损害。本文将深入探讨尖峰吸收电路的工作原理、设计要素及其在实际应用中的重要性。
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详解PWM开关稳压电源尖峰干扰
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基于开关电源的尖峰吸收电路研究
开关电源是利用现代电力电子技术,控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制（PWM）控制IC和MOSFET构成。随着电力电子技术
