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EPS系统MOSFET品牌性能与可靠性对比：东芝与竞品的技术差异
EPS系统对MOSFET的精准控制、低噪声和高可靠性要求极高，选错器件可能导致转向卡顿或系统失效。本文对比东芝与主流竞品在EPS场景下的性能差异，重点分析控制精度、可靠性测试数据及封装优势，帮助工程师快速选型。
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英飞凌推出全新XHP™ 2 CoolSiC™高功率模块，显著提升高压能源系统的效率与功率密度
【2026年5月20日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出采用2300V CoolSiC™ MOSFET的新型XHP™2功率模块产品，进一步扩展了该产品组合。该模块专为高压电力系统设计，最高支持1500V直流母线电压，契合行业向更高系统电压发展的趋势。该模块还提供多种规格，导通电阻(RDS(on))在1mΩ至2mΩ之间，绝缘电压为4kV或6kV。与传统硅基解决方案相比，这款新产品采用碳化硅(SiC)技术，显著降低了开关损耗与导通损耗，从而使逆变器实现更高效率和更高功率密度，或以更高开关频率运行以降低谐波并缩小系统尺寸。全新XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET模块适用于可再生能源领域，包括风电、光伏及电池储能系统等应用。
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英飞凌拓展 CoolSiC™ MOSFET 750 V G2系列，提供超低导通电阻和新型封装
【2026年1月12日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出全新封装的 CoolSiC™ MOSFET 750V G2系列，旨在为汽车和工业电源应用提供超高系统效率和功率密度。该系列现提供 Q-DPAK、D2PAK 等多种封装，产品组合覆盖在25°C情况下的典型导通电阻(RDS(on))值60 mΩ。
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VGS在线性区时功率MOSFET反向导通问题探析
在电力电子电路中，功率MOSFET凭借开关速度快、驱动功率小、导通电阻低等优势，被广泛应用于逆变器、DC-DC转换器、电机驱动等场景。其工作状态主要分为截止区、线性区(欧姆区)和饱和区，不同工作区域的特性直接决定了电路的运行性能。当栅源电压VGS处于线性区时，功率MOSFET本应呈现低阻导通特性以实现电能的高效传输，但实际应用中常出现反向导通现象，这一问题会导致电路效率下降、器件温升过高甚至损坏，严重影响系统可靠性。本文将从线性区工作机制、反向导通成因、负面影响及抑制策略四个方面，对该问题进行深入探析。
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利用先进封装和直通引脚提高开关通道密度
本文介绍了一款突破性的精密开关产品。这款产品旨在彻底化解需要高通道密度与高精度的印刷电路板(PCB)设计和电子测量系统所面临的挑战。这款开关采用创新的无源元件共封装方法，并具备直通引脚特性，不仅能显著优化PCB空间利用率，而且能大大提高开关通道密度。此外，得益于极低的导通电阻，测量精度得以提升，功耗有效降低，有利于系统层面的热管理。
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MOS管关断缓慢进入恒流区和夹断区临界点导致发热严重
MOS 管作为电力电子电路中的核心开关元件，其工作状态主要分为导通区、恒流区(饱和区)和夹断区(截止区)三大区域。导通区时，MOS 管导通电阻极低，电流通过时损耗可忽略;夹断区时，漏源极之间几乎无电流通过，同样处于低损耗状态。而恒流区与夹断区的临界点，是 MOS 管从导通转向截止的关键过渡阶段，此时器件的电压、电流特性发生剧烈变化，成为损耗与发热的核心敏感区。
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英飞凌推出采用全新 EasyPACK™ C 封装的碳化硅功率模块，助力提升工业应用的能效与使用寿命
【2025年10月29日, 德国慕尼黑讯】工业领域中的快速直流电动汽车(EV)充电、兆瓦级充电、储能系统，以及不间断电源设备，往往需要在严苛环境条件与波动负载的运行模式下工作。这些应用对高能效、稳定的功率循环能力以及较长的使用寿命有着极高的要求。为满足这些需求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出了EasyPACK™ C 系列产品 ——EasyPACK™ 封装家族的新一代产品。
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英飞凌推出采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC™ MOSFET 1400V G2系列，提升大功率应用中的功率密度
【2025年10月17日, 德国慕尼黑讯】电动汽车充电、电池储能系统，以及商用、工程和农用车辆（CAV）等大功率应用场景，正推动市场对更高系统级功率密度与效率的需求，以满足日益提升的性能预期。同时，这些需求也带来了新的设计挑战，例如，如何在严苛环境条件下实现可靠运行、在应对瞬态过载时如何保持稳定性，以及如何优化整体系统性能。为应对这些挑战，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC™ MOSFET 1400V G2系列。该器件支持更高的直流母线电压，可实现更优异的热性能、更小的系统尺寸，以及更高的可靠性。
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MOSFET栅极驱动电路重要参数解读：导通电阻+驱动功率
以下内容中，小编将对MOSFET栅极驱动电路的相关内容进行着重介绍和阐述，希望本文能帮您增进对MOSFET栅极驱动电路的了解，和小编一起来看看吧。
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MOS管驱动电路详解
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。
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新型OptiMOS 7 MOSFET改进汽车应用中的导通电阻、设计稳健性和开关效率
【2024年6月18日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)正在扩大其用于汽车应用的下一代OptiMOS™ 7 MOSFET产品组合，在40 V 产品组合中新增了采用稳健且无铅封装的器件，并且推出了80 V和100 V型号的OptiMOS™ 7 MOSFET。这些MOSFET针对各项标准和未来的48 V汽车应用进行了优化，包括电动助力转向、制动系统、新区域架构中的功率开关、电池管理、电子保险丝盒，以及各种12 V和48 V电气系统应用中的直流/直流和BLDC驱动器等。这些产品还适用于轻型电动汽车(LEV)、电动二轮车、电动踏板车、电动摩托车，以及商用车和农用车(CAV)等其他交通应用。
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MOS管开关时的米勒效应的影响与解决方法
由于米勒电容阻止了Vgs的上升，从而也就阻止了Vds的下降，这样就会使损耗的时间加长。(Vgs上升，则导通电阻下降，从而Vds下降)。
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英飞凌为汽车应用推出业内导通电阻最低的80 V MOSFET OptiMOS™ 7
【2024年4月15日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS™ 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm² SMD封装。这款OptiMOS™ 7 80 V产品非常适合即将推出的 48 V板网应用。它专为满足高要求汽车应用所需的高性能、高质量和稳健性而打造，包括电动汽车的汽车直流-直流转换器、48 V电机控制（例如电动助力转向系统（EPS））、48 V电池开关以及电动两轮车和三轮车等。
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EPC推出首款具有最低1mΩ导通电阻的GaN FET
EPC推出采用紧凑型QFN封装(3 mm x 5 mm)的100 V、1 mOhm GaN FET(EPC2361)，助力DC/DC转换、快充、电机驱动和太阳能 MPPT等应用实现更高的功率密度。
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贸泽备货UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET为各类电源应用提供更好的支持
2022年6月9日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始分销UnitedSiC(现已被Qorvo®收购)的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作为广泛的高性能SiC FET系列产品，此第四代器件具有出色的导通电阻特性，适用于主流800V总线架构中的电源解决方案，如电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC-DC太阳能逆变器等应用。
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适用于移动和便携式产品应用的MOSFET产品
在生活中，你可能接触过各种各样的电子产品，那么你可能并不知道它的一些组成部分，比如它可能含有的MOSFET，那么接下来让小编带领大家一起学习MOSFET。
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降低压降并减小传导损耗的30 V p沟道功率MOSFET---SiRA99DP
随着全球多样化的发展，我们的生活也在不断变化着，包括我们接触的各种各样的电子产品，那么你一定不知道这些产品的一些组成，比如p沟道功率MOSFET。
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值得了解的新型200V n沟道MOSFET---SiSS94DN
在科学技术高度发达的今天，各种各样的高科技出现在我们的生活中，为我们的生活带来便利，那么你知道这些高科技可能会含有的RDS(ON)导通电阻吗?
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值得了解的新型40Vn沟道MOSFET半桥功率级-SiZ240DT
人类社会的进步离不开社会上各行各业的努力，各种各样的电子产品的更新换代离不开我们的设计者的努力，其实很多人并不会去了解电子产品的组成，比如集成式MOSFET。
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Vishay推出新款200V N沟道MOSFET的RDS(ON)导通电阻达到业内最低水平，提高系统功率密度且节省能源
TrenchFETâ器件典型RDS(ON)为 61 mΩ，优值系数为 854 mΩ*nC，封装面积10.89 mm²
