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场效应管(FET)广泛应用于开关、放大、电流控制等场景
在电子电路设计中，场效应管(FET)凭借输入阻抗高、功耗低、控制精度高的优势，广泛应用于开关、放大、电流控制等场景。NPN型场效应管(常指N沟道MOSFET，实际场效应管无严格“NPN”分类，通常为工程习惯表述)作为最常用的器件之一，其电流流向多为从漏极(D)到源极(S)的正向导通，但在很多特殊场景(如电机驱动、电源反向保护、能量回收)中，需要实现电流反向流动(从源极到漏极)。此时，门极(G)电压的控制成为关键，其取值直接决定反向电流的导通与否、导通效率及器件安全性，本文将详细解析这一核心要求。
