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低压大电流DC-DC中Si MOSFET的导通损耗与开关损耗权衡
12V转1.2V、50A输出——当降压比压到10:1，电流飙到50A量级时，Si MOSFET面临一个残酷的选择题：选低RDS(on)的管子，导通损耗小了，但Qg大了，开关损耗反而飙升;选低Qg的快管，开关损耗降了，但RDS(on)偏高，大电流下导通损耗吃掉效率。这道题没有标准答案，只有最优解。
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大功率应用中降损耗、提能效、拓宽温度范围的技术策略
随着新能源发电、工业变频、轨道交通、高压输变电等大功率领域快速发展，电力电子设备朝着高功率密度、高能效、宽工况适配的方向持续迭代。大功率设备在运行中普遍存在导通损耗、开关损耗、热损耗过高的问题，且传统器件与系统架构温度适应范围狭窄，高低温极端工况下能效骤降、稳定性不足，不仅造成大量能源浪费，还会缩短设备使用寿命、提升运维成本。因此，通过多维度技术优化，减少功率损耗、提升系统能效、拓宽工作温度区间，成为大功率电力电子系统设计的核心课题。
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逆变电源有哪些劣势？逆变电源开关损耗和导通损耗有什么区别？
在这篇文章中，小编将为大家带来逆变电源的相关报道。如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣，不妨继续往下阅读哦。
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MOS管低阻抗导通异常发热的原因及处理方案详解
MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)凭借开关速度快、输入阻抗高、驱动功率小、损耗低等优势，广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动、高频放大等各类电子电路中。在开关电源等核心应用场景中，MOS管常工作于低阻抗导通状态，理想情况下导通损耗极低，发热微弱可忽略不计。但实际应用中，若MOS管出现低阻抗导通时异常发热(如外壳烫手、温度超过85℃安全阈值)，不仅会导致器件性能衰减、寿命缩短，严重时还会引发热击穿、烧毁，甚至影响整个电路系统的稳定运行。
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工程师必读开关电源MOS的8大损耗
在器件设计选择过程中需要对 MOSFET 的工作过程损耗进行先期计算（所谓先期计算是指在没能够测试各工作波形的情况下，利用器件规格书提供的参数及工作电路的计算值和预计波形，套用公式进行理论上的近似计算）。
