-
IGBT 损坏机理分析及保护电路设计原理
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为电力电子领域的核心器件，融合了 MOSFET 的高输入阻抗和 GTR 的低导通压降优势，在新能源汽车、轨道交通、工业变频器、光伏逆变器等中高压、大电流场景中广泛应用。其工作原理基于 MOS 栅极控制 PN 结导通与关断，实现电能的高效转换，但在复杂工况下，器件易受多种因素影响发生损坏，因此深入分析损坏机理并设计可靠的保护电路至关重要。
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为电力电子领域的核心器件，融合了 MOSFET 的高输入阻抗和 GTR 的低导通压降优势，在新能源汽车、轨道交通、工业变频器、光伏逆变器等中高压、大电流场景中广泛应用。其工作原理基于 MOS 栅极控制 PN 结导通与关断，实现电能的高效转换，但在复杂工况下，器件易受多种因素影响发生损坏，因此深入分析损坏机理并设计可靠的保护电路至关重要。
