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寄生参数的定义与来源
寄生参数是指在电子电路中，由于元件的物理结构、材料特性和布线方式等因素，额外产生的电阻、电感和电容。
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基于寄生参数的元件选型优化
实际应用中的电感和电容并非理想元件，其寄生参数会显著影响滤波器的高频性能，因此基于寄生参数的元件选型是优化的关键环节。对于电感，需重点关注直流电阻(DCR)、寄生电容(Cp)和磁芯损耗。
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高频测试探头尖的寄生参数，自感与杂散电容对信号完整性的影响
高频电子测量领域，信号完整性是决定系统性能的核心指标。当信号频率突破GHz门槛时，探头尖的寄生参数、自感及杂散电容等非理想特性会显著扭曲原始信号，导致波形失真、谐振峰出现甚至系统功能失效。本文将从材料选型、测试应用、原理分析及实现路径四个维度，系统阐述高频探头尖的寄生效应对信号完整性的影响机制及优化策略。
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寄生参数反标：Spectre仿真中SPF文件的精准导入实战
在深亚微米及先进工艺节点下，连线延迟与耦合电容已不再是“二阶效应”，而是决定芯片时序收敛与信号完整性的“一阶因素”。寄生参数提取（PEX）工具（如Calibre xACT或StarRC）生成的SPF（Standard Parasitic Format）文件，包含了版图中电阻、电容的详细分布信息。如何将这些“物理真实”精准反标至Cadence Spectre仿真环境中，是后仿真（Post-Layout Simulation）成败的关键。
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简化 SiC MOSFET 高效 AC/DC 转换器设计的关键路径与实践
在新能源发电、电动汽车充电桩、工业电源等领域，对 AC/DC 转换器的效率、功率密度和可靠性要求持续提升，碳化硅(SiC)MOSFET 凭借高频、高效、耐高温的特性，逐渐取代传统硅基器件成为核心选择。然而，SiC MOSFET 的高速开关特性、特殊驱动需求及寄生参数敏感性，给设计带来诸多挑战。本文从工程化设计角度出发，梳理简化 SiC MOSFET AC/DC 转换器设计的关键技术，帮助工程师降低开发难度、缩短研发周期。
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寄生参数对MOS管有什么影响？MOS管工作状态解读
MOS管将是下述内容的主要介绍对象，通过这篇文章，小编希望大家可以对MOS管的相关情况以及信息有所认识和了解，详细内容如下。
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Synopsys的Star RC创造“寄生参数提取性能”和“可扩展性能”新高度
新思科技(Synopsys, Inc.，纳斯达克股票市场代码：SNPS)日前宣布：其StarRC™解决方案的2015.12版本实现了关键技术创新，可以解决由于摩尔定律(Moore’s Law)继续向更精细化延伸，而引起的越来越多的寄生参
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如何解决Pspice仿真电路不能过大的问题？
PSPICE仿真的是理想环境，除非你自己将一些寄生参数定义到回路中，所以RC过大或过小也不会计算到寄生参数中。您这个问题有两个可能，但两种都是因为时间的关系：1.因为RC振荡电路有一个关键参数就是响应时间和振荡频
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开关电源传导EMI预测探讨
针对开关电源设计阶段应考虑的EMC问题，介绍了PCB及其结构寄生参数提取和频域仿真的方法，在开关电源设计阶段对其传导EMI进行预测，定位开关电源传导EMI传播路径的影响因素，在此基础上给出开关电源PCB及其结构设计的
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FFT处理器寄生参数提取和静态时序分析
摘要：本文在简要介绍寄生参数提取工具Star-RCXT和静态时序分析工具PrimeTime的基础上,对已通过物理验证工具Calibre DRC和LVS的FFT处理器版图用Star-RCXT工具进行了基于CCI的寄生参数提取,得到内部互连网络的详细寄生
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FFT处理器寄生参数提取和静态时序分析
摘要：本文在简要介绍寄生参数提取工具Star-RCXT和静态时序分析工具PrimeTime的基础上,对已通过物理验证工具Calibre DRC和LVS的FFT处理器版图用Star-RCXT工具进行了基于CCI的寄生参数提取,得到内部互连网络的详细寄生
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FFT处理器寄生参数提取和静态时序分析
摘要：本文在简要介绍寄生参数提取工具Star-RCXT和静态时序分析工具PrimeTime的基础上,对已通过物理验证工具Calibre DRC和LVS的FFT处理器版图用Star-RCXT工具进行了基于CCI的寄生参数提取,得到内部互连网络的详细寄生
