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第三代SiC MOSFET赋能电源设计的性能与能效升级
随着新能源发电、数据中心、储能系统、高端工业电源等领域快速迭代，电力电子设备对电源的功率密度、转换效率、高温稳定性提出了严苛要求。传统硅基MOSFET与IGBT器件受限于材料物理瓶颈，存在开关损耗大、导通压降高、高频性能差等短板，已难以适配高端电源的升级需求。第三代碳化硅(SiC)MOSFET依托宽禁带材料优势与迭代优化的器件结构，突破了传统功率器件的性能局限，成为新一代高性能电源设计的核心器件，可从器件层面优化电源拓扑、降低损耗、提升稳定性，全面推动电源系统向高频化、高效化、小型化升级。
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基于SiC MOSFET与Si IGBT栅极驱动的电源系统优化技术
在新能源发电、工业变频、电动汽车充电桩等高端电源系统中，功率半导体器件的开关性能直接决定系统效率、温升与稳定性。传统硅基IGBT凭借耐压高、导通电流大、可靠性强的优势，长期占据中高压大功率电源市场主流，但受限于硅材料物理极限，开关损耗偏高、高频特性差的问题难以突破。SiC MOSFET作为第三代宽禁带功率器件，具备开关速度快、损耗低、耐高温、高频性能优异等特点，成为电源系统高频化、高效化升级的核心器件。二者器件特性差异显著，对应的栅极驱动逻辑与设计方案截然不同，通过针对性的栅极驱动优化设计，可充分发挥两种器件的性能优势，实现电源系统全域工况下的性能升级。
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绿色低碳已成为产业升级的核心方向
在全球“双碳”目标引领下，绿色低碳已成为产业升级的核心方向，而半导体技术作为能源高效利用的关键支撑，正经历从硅基到宽禁带材料的革命性跨越。氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的核心代表，凭借其优越的电学特性，打破了传统硅基器件的性能瓶颈，在能源转换、电子设备、可再生能源等多个领域实现突破性应用，正以变革性力量推动人类迈向更绿色、更高效的未来。
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2026英飞凌宽禁带论坛在深圳举行
【2026年5月21日，中国深圳讯】伴随新能源汽车加速发展、AI算力需求激增，以及能源结构向绿色低碳转型，以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体，凭借高效率、高功率密度等优势，正加速在电动汽车、光伏储能、AI数据中心等应用场景落地。顺应这一趋势，2026英飞凌宽禁带论坛于5月21日在深圳举行，汇聚产业链上下游伙伴，共探技术演进、应用创新与生态协同。
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长距离出行需求下的功率器件革命
在全球新能源汽车产业向 “长续航、快充电、高效率” 转型的浪潮中，功率半导体作为电能转换的核心部件，直接决定车辆续航里程与能源利用效率。传统硅基 IGBT 器件因导通损耗高、耐高温性差等局限，已难以满足超长距离电动汽车(续航目标 600km+)的技术需求。碳化硅(SiC)作为第三代宽禁带半导体材料，凭借其卓越的电学特性，成为破解长距离出行痛点的关键技术，其有效实施正在重塑电动汽车功率系统的设计逻辑。
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Allegro MicroSystems 推出业界首款量产级 10 MHz TMR 电流传感器 为宽禁带功率电子器件提供精准保护与控制
新一代 XtremeSense™ TMR 电流传感器，为电动汽车、清洁能源和数据中心等采用 GaN 与 SiC FET 的设计提供高保真电流信号，助力工程师精准掌控功率转换信号链
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氮化镓(GaN)技术：推动电源管理的革新力量
在当今数字化时代，电子设备的广泛应用使得电源管理成为了一个至关重要的领域。从智能手机、笔记本电脑到数据中心、电动汽车，高效的电源管理对于设备的性能、能效和尺寸都起着决定性作用。近年来，氮化镓(GaN)技术的兴起，为电源管理带来了前所未有的变革，正逐渐成为推动电源管理不断革新的关键力量。
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半导体创新推动能源格局演变的三种方式
在全球积极追求可持续发展与应对气候变化的大背景下，能源格局正经历着深刻变革。半导体技术作为现代科技的基石，在这场能源变革中扮演着极为关键的角色，其创新正从多个维度重塑能源的生产、传输与使用方式，成为推动能源格局演变的核心驱动力。
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确保可靠性：碳化硅产品上市前的开发与制造
从 MOSFET、二极管到功率模块，功率半导体产品是生活中无数电子设备的核心。从医疗设备和可再生能源基础设施，到个人电子产品和电动汽车 (EV)，它们的性能和可靠性确保了各种设备的持续运行。第三代宽禁带(WBG)解决方案是半导体技术的前沿，如使用碳化硅(SiC)。与传统的硅(Si)晶体管相比，SiC 的优异物理特性使基于 SiC 的系统能够在更小的外形尺寸内显著减少损耗并加快开关速度。
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SiC功率器件生产规模效益扩大，英飞凌全球最大8英寸SiC晶圆厂正式进入生产营运
正在持续扩建的英飞凌居林工厂第三厂区已经获得了总价值约 50 亿欧元的设计订单，并且收到了来自新老客户约10亿欧元的预付款。值得一提的是，这些设计订单来自不同行业的客户，包括汽车行业的六家整车厂以及可再生能源和工业领域的客户。 随着居林工厂第三厂区的正式运营投产，英飞凌正在持续扩大其在SiC生产制造领域的规模优势，提升产能效益，同时将宽禁带功率器件带入到一个更为广阔且多元的应用版图，助力行业向更高效、更可持续的未来迈进。
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持续高增长的第三代半导体为何如此火热？
第三代半导体材料又称宽禁带半导体材料，主要包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等。与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料拥有高禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高热导率、导通阻抗小、体积小等优势，特别适用于5G射频和高压功率器件。
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从测试角度看宽禁带技术的挑战，泰克为工程师提供简化工具
泰克针对性的测试解决方案覆盖了从半导体材料、生产、可靠性到电源设计应用的全流程，帮助用好宽禁带技术，推动技术进步。
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意法半导体针对高能效功率变换应用，推出新的 45W和150W MasterGaN 产品
为了更方便的转型到高能效的宽禁带半导体技术，意法半导体发布了MasterGaN3*和 MasterGaN5两款集成功率系统封装，分别面向高达 45W 和 150W的功率变换应用。
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芯派科技采用是德科技功率器件测试解决方案，加速推进第三代宽禁带发展
是德科技公司日前宣布，芯派科技采用了是德科技的功率器件动态参数测试解决方案，二者将共同为促进第三代半导体产业发展做出努力。
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宽禁带生态系统：碳化硅功率MOSFET模型的部分特性
宽禁带材料实现了较当前硅基技术的飞跃。它们的大带隙导致较高的介电击穿，从而降低了导通电阻(RSP)。更高的电子饱和速度支持高频设计和工作，降低的漏电流和更好的导热性有助于高温下的工作。安森美半导体提供围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统，包含从旨在提高强固性和速度的碳化硅(SiC)...
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为第三代宽禁带制造工艺提供支持，泰克新推S530系列参数测试系统
泰克科技日前发布了全新Keithley S530系列参数测试系统，该系统搭载了KTE 7软件，提供更多增强功能。S530平台使半导体制造商为高速增长的新技术增加参数测试功能，同时最大程度地减少资本投入和提高每小时晶圆制造效率。这将降低整体拥有成本，帮助制造商在竞争激烈的新兴市场中应对巨大的价格压力。
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安森美半导体的世界级宽禁带产品供应链
当采用宽禁带材料如碳化硅(SiC)半导体等精密器件时，至关重要的是选择一个不仅可提供产品，还可提供设计方案、信息和支援的供应商。安森美半导体具有内部的、端到端供应链的优势。
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SiC和GaN的现状，你了解吗？
什么是SiC和GaN?它有什么作用?SiC和GaN被称为“宽禁带半导体”(WBG)，因为将这些材料的电子从价带扩散到导带所需的能量为：在硅中，该能量为1.1eV， SiC(碳化硅)为3.3eV，GaN(氮化镓)为3.4eV。这导致较高的适用击穿电压，在某些应用中可以达到1200至1700V。由于使用了生产工艺，WBG设备显示出以下优势：
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SiC酷在哪里？如何做最酷的SiC？
硅是半导体产业的代表元素，作为最基础的器件原料，硅的性能已经接近了其物理极限。近年来随着电动汽车、5G的新应用的普及，对于功率器件的性能提出了更高的要求。例如GaN、砷化镓和SiC（碳化硅）等新材料半导体器件已经成为了行业内备受关注的产品。
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新型碳化硅基片提升功率器件解析
大家可能都听说过SiC，那么知道他在汽车上的作用吗?对电动汽车，电信和工业应用中技术的不断增长的需求促使Soitec和Applied Materials共同制定了用于功率器件的下一代碳化硅(SiC)基板的联合开发计划。该计划旨在提供技术和产品，以改善用于下一代电动汽车的SiC器件的性能和可用性。
