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宽禁带半导体器件：开启电子产业新征程
在半导体技术的演进历程中，宽禁带半导体器件正凭借其卓越性能，成为推动电子产业变革的核心力量。
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氮化镓技术在开关模式电源中的应用之道
随着5G通信、电动汽车快充、数据中心等领域对电源小型化、高效率的需求日益迫切，传统硅基器件已难以突破性能瓶颈。氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体的核心代表，凭借其卓越的电学特性，正重塑开关模式电源(SMPS)的设计理念与性能边界。将氮化镓技术科学应用于开关模式电源，需从器件特性认知、电路设计优化、挑战应对等多维度系统推进，方能充分释放其技术优势。
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SiC JFET 让固态断路器（SSCB）无惧高温工况
断路器是一种用于保护电路免受过流、过载及短路损害的装置。它不用于保护人员免受电击，而用于防范此类电击的装置被称为剩余电流装置（RCD） 或接地故障断路器（GFCI） 。该装置可检测泄漏电流并切断电路。机电式断路器的设计可追溯至 20 世纪 20 年代，如今仍被广泛应用。与早期的熔断器设计相比，断路器具有显著优势 ——可重复使用，而早期的熔断器使用一次后就必须更换。如今，随着宽禁带半导体技术的发展，固态断路器正占据更大的市场份额。
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以创新引领功率未来，英飞凌亮相PCIM Asia 2025
【2025年9月28日，中国上海讯】在9月24日至26日举办的“上海国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会（以下简称PCIM Asia 2025）”上，全球功率半导体技术领导者英飞凌以“创新”加持，集中展示了面向绿色能源、电动化出行、AI算力电源等关键应用领域的创新产品及系统解决方案，全面覆盖基于硅及宽禁带半导体材料的高能效、高功率密度产品，凸显了其在当下推动能源转型与智能化发展方面的技术引领作用。
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英飞凌发布“在中国、为中国”本土化战略 三十而励启新篇
【2025年6月12日, 中国上海讯】三十载深耕不辍，三十载砥砺前行。2025年是英飞凌进入中国市场第30年。从晶体管时代到人工智能时代，英飞凌见证并参与了中国半导体产业的发展与成长。6月11日举行的“2025英飞凌媒体日”活动上，英飞凌科技全球高级副总裁及大中华区总裁、英飞凌科技消费、计算与通讯业务大中华区负责人潘大伟携多位高管，正式发布“在中国，为中国”本土化战略。在低碳化与数字化加速发展的背景下，英飞凌致力于成为中国创新的协同者、产业升级的赋能者以及绿色转型的同行者，与本土伙伴携手同行，共筑未来。
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意法半导体被评为2024年全球百强创新企业
2024年3月15日，中国-- 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)荣登2024年全球百强创新机构榜单(Top 100 Global Innovators™ 2024)。该榜单是全球排名前列的信息服务公司科睿唯安(Clarivate™)发布的年度世界组织机构创新能力排行榜，上榜机构须在技术研究创新方面居于世界前沿水平。
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Nexperia针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET
结合铜夹片封装和宽禁带半导体的优势
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宽禁带半导体是什么？多为专家为你解读！
第三代宽禁带半导体材料被广泛应用在各个领域，包括电力电子，新能源汽车，光伏，机车牵引，以及微波通讯器件等，由于它突破第一、二代半导体材料的发展瓶颈，被业界一直看好。
