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宽带隙技术赋能高压LED照明 高效高功率密度革新行业格局
随着智慧城市、工业照明、户外亮化等领域的快速发展，高压LED照明凭借适配电网电压、布线简洁、适配大功率场景的优势，逐步取代传统低压照明方案，成为高端照明市场的主流方向。但传统硅基器件支撑的高压LED系统，长期面临能效损耗大、功率密度低、散热压力大、器件体积臃肿等行业瓶颈，制约了高压LED向超高功率、小型化、长效化迭代。以氮化镓(GaN)为核心的宽带隙半导体技术的成熟应用，彻底打破了传统硅基材料的物理性能极限，从芯片发光、电路驱动、系统集成全维度提升高压LED照明的效率与功率密度，成为推动照明产业技术升级的核心动力。
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宽带隙器件简介
宽带隙(WBG)半导体器件主要指基于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)材料的器件。相较于传统的硅(Si)基器件，它们具有诸多卓越的性能。例如，宽带隙器件拥有更高的击穿电场强度，能够承受更高的电压;具备高电子迁移率，这使得电子在材料中移动速度更快，大大提高了器件的开关速度和效率;同时，它们还具有低导通电阻以及较高的热导率，有助于降低器件工作时的发热问题，提高系统的可靠性和稳定性。
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宽带隙技术：21世纪电力电子应用的新规范
在过去的二十年中，研究人员和大学已经对几种宽带隙材料进行了实验，这些材料显示出巨大的潜力来替代射频，发光，传感器和功率半导体应用中的现有硅材料技术。在新世纪即将来临之际，氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)达到了足够的成熟度并获得了足够的吸引力，从而抛弃了其他潜在的替代方法，并得到了全球工业制造商的足够关注。
