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意法半导体披露公司全球计划细节,重塑制造布局和调整全球成本基数
2025年4月17日，中国 – 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码:STM) 披露了全球制造布局重塑计划细节，进一步更新了公司此前发布的全球计划。2024年10月，意法半导体发布了一项覆盖全公司的计划，拟进一步增强企业的竞争力，巩固公司全球半导体龙头地位，利用公司的技术研发、产品设计、大规模制造等全球战略资产，保障公司的垂直整合制造 (IDM) 模式长期发展。
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双极结型晶体管展现实力
在 CMOS 和宽带隙半导体技术的进步中，您很容易忘记 William Shockley 于 1949 年发明的第一个晶体管是双极结型晶体管 (BJT)。尽管它们已经不再流行，但这些不起眼的设备仍然在各种类型的电子设备中大量高效可靠地运行。事实上，在某些应用中，BJT 的性能可以超越更杰出的 CMOS 同类产品。 BJT 技术的最新改进将使它们成为半导体技术领域的重要组成部分。
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宽带隙半导体组装和测试解决方案
全球功率半导体市场包括分立元件、模块和集成电路，服务于汽车、工业和消费电子领域。为了利用电气化趋势，Carsem 密切关注日益增长的电动汽车(EV) 和可再生能源产品领域。
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探索硅掺杂对块体 GaN 热导率的影响
宽带隙半导体材料氮化镓 (GaN) 具有出色的电气和光学特性，可用于各种电子和光电设备。然而，与其他半导体相比，其固有热导率明显较低。硅掺杂可以显著影响块状氮化镓 (GaN) 的热导率。
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讨论宽带隙半导体背后的技术、市场前景和机遇
GaN Systems 销售和营销副总裁 Larry Spaziani 在接受 记者采访时 谈到了宽带隙半导体背后的技术、市场前景和机遇。
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使用宽带隙半导体为电动汽车供电，第二部分
所以电动汽车需要更多的电力，因此功率水平最高可达传统汽车的 20 倍。所以内燃机、ICE……我的意思是，对于工程师来说，对于试图优化电力网络的电力工程师来说，这种增长是一个重大挑战。还有基础设施、充电站、电网。如您所知，汽车现在更加电动化，我们可以这么说。所以我们不需要机械工程师，我的意思是。而在这种情况下，问题也是：我们如何改造旧的机械工程师?换句话说，如何从与内燃机汽车相关的职业转向电动汽车。我们确实需要在这些新兴领域(电动汽车)具有特定资格的新专业人员。
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使用宽带隙半导体为电动汽车供电，第三部分
对于 FTEX，目前的挑战是开始制造。所以我们已经开始预制造了。你知道，在路上建立一个原型需要 20% 的努力，而 80% 的工作真的就像是让这个原型对每个人都具有良好的功能，并具有良好的故障率和良好的良率。当然，供应链现在是一个我们必须解决的大问题。
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使用宽带隙半导体为电动汽车供电，第一部分
车辆电气化是减少道路交通温室气体排放计划的关键部分。与传统的硅替代品相比，宽带隙半导体具有多种优势，因此可以改进电动汽车和混合动力汽车。在这个与 FTEX 的联合创始人兼首席技术官 Alexandre Cosneau 的讨论中，我们将发现电动汽车的动力总成技术和 GaN 的优势。Cosneau 正在寻找优化电源转换的方法，从电池设计到电机效率，这对 FTEX 技术和解决方案至关重要。
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宽带隙半导体
室温下，Si的带隙为1.1eV，GaAs的带隙为1.43eV，一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体，宽带隙半导体在蓝、紫光和紫外光电子器件，高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。
