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氮化镓场效应晶体管在高压高效开关模式电源中的应用原理与实践
随着新能源发电、工业自动化、高端快充及高压配电领域快速发展，开关模式电源(SMPS)正向高电压、高效率、高功率密度方向迭代。传统硅(Si)MOSFET受材料物理极限制约，在高压工况下开关损耗大、反向恢复特性差、工作频率受限，难以兼顾高效与小型化需求。氮化镓场效应晶体管(GaN FET)作为第三代宽禁带半导体器件，凭借优异的电学特性，突破了硅基器件的技术瓶颈，成为高压高效开关电源的核心优选器件。
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场效应晶体管的基本原理
场效应晶体管(Field Effect Transistor，简称FET)是现代电子技术中不可或缺的半导体器件，其通过电场效应控制电流的特性使其在模拟电路、数字电路和功率电子领域占据核心地位。
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MOS管低阻抗导通异常发热的原因及处理方案详解
MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)凭借开关速度快、输入阻抗高、驱动功率小、损耗低等优势，广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动、高频放大等各类电子电路中。在开关电源等核心应用场景中，MOS管常工作于低阻抗导通状态，理想情况下导通损耗极低，发热微弱可忽略不计。但实际应用中，若MOS管出现低阻抗导通时异常发热(如外壳烫手、温度超过85℃安全阈值)，不仅会导致器件性能衰减、寿命缩短，严重时还会引发热击穿、烧毁，甚至影响整个电路系统的稳定运行。
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SiC 市场的下一个爆点：共源共栅（cascode）结构详解
碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）相比其他竞争技术具有一些显著的优势，特别是在给定芯片面积下的低导通电阻（称为RDS.A）。为了实现最低的RDS.A，需要权衡的一点是其常开特性，这意味着如果没有栅源电压，或者JFET的栅极处于悬空状态，那么JFET将完全导通。
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设计一个特斯拉线圈电路
由于几个实际原因，真空管特斯拉线圈是房屋建筑商的常见选择。在固态特斯拉Cioils中，如果错误的组装，错误的计算，甚至错误的印刷电路布线，场效应晶体管很快就会失效，有时会爆炸，这也会带来经济困难，因为强大的晶体管成本很高。VTTC有一个更简单的电路，基于一个强大的真空管，在这个特殊的情况下，GU50也更能抵抗施工错误。
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使用双升压转换器来扩展高转换率设计的功率范围
任何启动转换器的设计都将有一个实际的限制,它可以增加多少电压从输入到输出。脉冲宽度调制控制器具有限制场效应晶体管(FET)最小允许时和非时的时间限制。时序限制将有效地限制可实现的电压提升比,尽管这一缺点在以电感代替变压器或耦合电感作为其磁性的拓扑结构中更为明显。在这个电源提示中,我将比较各种非孤立的,单端提升拓扑,以扩展电压提升比,并引入双头转换器作为实现大转换率和高电流输出负载的一个选项。
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浅析MOS管在集成电路的详细应用
金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MOS管)是现代集成电路中不可或缺的元件之一。自1960年代问世以来，MOS管因其低功耗、高集成度、良好的温度稳定性和广泛的电压适应性等优点，在集成电路设计中占据了核心地位。本文将详细探讨MOS管在集成电路中的多种应用，包括其基本工作原理、优点、具体应用实例以及未来发展趋势。
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mosfet是什么电子元件
MOSFET是一种场效应晶体管(FET)，全称为金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。
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MOS管的作用有哪些？
MOS管，即金属-氧化物半导体场效应晶体管，是电子学中常用的一种半导体器件。它具有高频率、低噪声、高输入阻抗等特点，被广泛应用于各种电子设备和系统中。本文将详细介绍MOS管的作用。
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什么是场效应管？它的作用是什么？
以下内容中，小编将对场效应管的相关内容进行着重介绍和阐述，希望本文能帮您增进对场效应管的了解，和小编一起来看看吧。
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立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140 W快充解决方案
宜普电源转换公司和立锜科技宣布推出4开关双向降压-升压控制器参考设计，可将12 V~24 V的输入电压转换为5 V~20 V的稳压输出电压，并提供高达5 A的连续电流和6.5 A的最大电流。与高功率密度应用的传统解决方案相比，新型RT6190控制器与EPC的超高效氮化镓场效应晶体管EPC2204相结合，使得解决方案尺寸可缩小20%以上，而且在20 V和12 V输出电压下，可实现超过98%的效率。在不需使用散热器和5 A连续电流下，20 V转5 V的最大升温低于摄氏15度，而12 V转20 V的最高升温则低于摄氏55度。
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Transphorm在深圳设立GaN场效应晶体管实验室
据业内信息报道，TransphormInc已经在深圳设立GaN场效应晶体管实验室，并且已经全面投入运营，并为中国的客户提供产品及服务。
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EPC新推最小型化的40 V、1.1 mΩ 场效应晶体管，可实现最高功率密度
宜普电源转换公司(EPC)新推40 V、1.1 mΩ的氮化镓场效应晶体管(EPC2066)，为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面积受限的应用。
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EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ 氮化镓场效应晶体管
宜普电源转换公司(EPC)新推100 V、2.2 mΩ的氮化镓场效应晶体管(EPC2071),为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面积受限的应用。
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如何使用原厂选型工具，选择 MOSFET
我们谈到了为开关模式电源 (SMPS) 应用选择最合适的场效应晶体管 (FET) 是多么困难。根据数据表规格预测电路性能是一个繁琐的过程。要了解它的繁琐程度，我建议阅读应用说明“考虑同步降压转换器的共源电感的功率损耗计算”，因为它细致地详细说明了一阶和二阶寄生元件对这一特定拓扑的功率损耗影响.
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UnitedSiC(现名Qorvo)宣布推出具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET
2022年5月11日 – 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®(纳斯达克代码：QRVO)今日宣布推出新一代1200V碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)系列，这些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常适合主流的800V总线结构，这种结构常见于电动车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、直流太阳能逆变器、焊机、不间断电源和感应加热应用。
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EPC扩大了 40 V eGaN®FET的产品陈容， 新产品是高功率密度电信、网通和计算解决方案的理想器件
EPC 推出了 40 V、1.6 mΩ的氮化镓场效应晶体管 （eGaN® FET），器件型号为 ，专为设计人员而设，EPC2069比目前市场上可选的器件更小、更高效、更可靠，适用于高性能且空间受限的应用。
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场效应管主要参数及与其他管子的对比
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。
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EPC新推80 V和200 V eGaN®FET,进一步扩大其高性能氮化镓产品阵容
这些新一代氮化镓场效应晶体管(eGaN FET) 满足了目前电动出行(eMobility)、交付和物流机器人，以及无人机市场所需的紧凑型 BLDC 电机驱动器和具成本效益、高分辨率的飞行时间(ToF)的新需求。
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你知道锂电池保护板起什么作用以及激活方法吗？
在生活中，你可能接触过各种各样的电子产品，那么你可能并不知道它的一些组成部分，比如它可能含有的锂电池保护板，那么接下来让小编带领大家一起学习锂电池保护板。电子产品随着经济的发展已经进入了寻常百姓家。人们对电子产品使用的需求也越来越高，伴随着电子产品的使用需求越来越高，人们对锂电池的需求也越来越高，锂电池作为一种电储量比较大的电池，应用于各种电子产品上。然而市场上有些不法商家就瞄准了这一点，他们用大量的假冒伪劣电池充斥了整个市场，使得消费者难以买到真产品。
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