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反向转换器FET关断电压缓冲技术解析
在反向转换器(尤以反激式拓扑为典型)的工作过程中，功率MOSFET关断瞬间产生的电压尖峰，是制约电路可靠性、缩短器件寿命的核心瓶颈。这类尖峰源于变压器漏感与FET输出电容的高频谐振，叠加次级反射电压后，往往会超出器件安全耐压范围，引发雪崩击穿、电磁干扰加剧等问题。因此，科学设计FET关断电压缓冲电路，实现尖峰抑制与能量合理处置，是反向转换器设计中的关键环节。
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FET 关断电压缓冲的核心必要性
反向转换器(尤以反激式拓扑为典型)中，功率 MOSFET 关断瞬间面临的电压尖峰是制约电路可靠性的关键问题。其本质是变压器漏感与 MOSFET 输出电容(Coss)发生高频谐振，叠加次级反射电压(VOR)后形成过冲电压，公式可表示为：\(V_{peak} = V_{DC} + L_\sigma \cdot \frac{di}{dt}\)。在 700V 母线电压、200kHz 开关频率的工况下，仅 10nH 的寄生电感就可能产生 100-500V 的尖峰，远超 1200V 等级器件的安全裕量。这种尖峰不仅易导致 MOSFET 雪崩击穿，还会加剧电磁干扰(EMI)和关断损耗，因此必须通过缓冲电路实现电压抑制与能量吸收。
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如何针对反向转换器的FET关断电压而进行缓冲
本文来研究如何对反向转换器的FET关断电压进行缓冲。 图1显示了反向转换器功率级和一次侧MOSFET电压波形。该转换器将能量存储于一个变压器主绕组电感中并在MOSFET关闭时
