半导体
-
英飞凌推出基于AWS的云端虚拟平台，助力汽车微控制器评估加速
【2026年7月6日，德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)正与亚马逊云科技(AWS)展开合作，通过加快微控制器(MCU)评估进程，从而缩短汽车系统开发周期。作为此次合作的一部分，英飞凌推出了一款由AWS提供支持的云端平台，用于对英飞凌汽车微控制器进行虚拟评估。该新平台摆脱了对物理硬件的依赖，有助于将评估周期从数周缩短至数分钟，并显著降低单个用户的评估成本，同时支持全球数百名用户并发使用。该平台已集成英飞凌下一代RISC-V架构微控制器。
-
埃赛力达推出OmniCure风冷式UVC LED系统，助力提升表面固化性能
AC8225-275 nm UVC LED系统扩展了OmniCure AC8系列产品线，旨在解决制造商从汞弧灯向UV LED固化技术转型过程中面临的表面固化难题
-
意法半导体的水资源保护行动
水是生命之源——对人类、自然，以及像我们这样的行业都是如此。而半导体，或称“芯片”，是我们智能手机、电动汽车和医疗设备中不可或缺的隐形组件，而这些产品在日常生活中正变得越来越重要。
-
马斯克炮轰IBM：“0.7纳米”纯属误导！
近日，IBM宣布推出全球首个亚1纳米芯片技术，核心节点为0.7纳米（7埃米），并号称这是“全球最小、最强大的计算机芯片技术”。然而，这一重磅发布却引来了特斯拉、SpaceX掌门人埃隆·马斯克的公开炮轰。
-
DigiKey 推出《可持续的未来》视频系列第二季
新一季视频重点展示了先进电子技术如何助力各行业实现可持续设计。
-
Pragmatic半导体推出Pragmatic NFC Protect，拓展其产品组合以防范产品篡改和仿冒造假行为
新型柔性低碳NFC芯片，兼具即时篡改检测、产品真伪验证与深度消费者互动功能，致力于保护消费者、保障供应链安全并构建长期信任。
-
半导体掺杂为何失控？剂量窗口怎么定？
做器件时，半导体掺杂不是把峰值拉高就结束，而是要同时守住结深、片阻和后续活化。剂量一旦偏，前端工艺还能补，后续阈值、漏电和击穿边界就会跟着跑偏。
-
半导体寿命看得准，还是复合中心更关键？
少子寿命看起来像一个材料常数，实际却很容易被测量条件改写。半导体里只要复合中心分布、注入水平或表面状态变了，寿命数值就会跟着变。
-
平台化工具帮助嵌入式产品开发企业降低TCO并提升ROI
当前，嵌入式系统正向多架构、高复杂度与全生命周期管理快速演进，研发团队面临维护多款产品、适配不同架构、承接新旧迭代项目、兼顾功能安全认证、跨团队协作、代码长期维护等一系列挑战。传统单套工具难以满足上述诸多需求，多套独立工具链并存又会带来环境不兼容、代码难以复用、重复投入成本、项目迁移困难等问题，这些已经成为制约研发效率、增加项目总体拥有成本(TCO)、降低投资回报率(ROI)的关键因素。
-
半导体栅氧：界面态和电场该先压哪个？
栅氧失效往往不是单纯电压超标，而是界面态和电场尖峰同时在推边界。半导体器件里，漏电、阈值漂移和TDDB常常先从这两处冒出来。
-
半导体外延：失配应变和位错密度怎么平衡？
外延层做得再漂亮，基底和膜层只要晶格对不上，后面就会把应力和缺陷一起带出来。半导体外延要想稳，失配应变和位错密度必须一起平衡。
-
半导体闩锁来了，衬底电阻必须先收
看起来只是一个瞬态过冲，实际却可能把整片芯片拖死。半导体闩锁一旦被触发，寄生PNPN通路就会把电流锁住，直到供电被切断或电流降到保持电流以下。
-
半导体热失控前，先盯热阻路径
功率器件出问题时，先坏的常常不是电参数，而是温度已经越线。半导体热失控前，真正要盯的是热阻路径，而不是只看散热器表面温度。
-
半导体迁移率下降，不只是温度问题
沟道做得越来越短，迁移率却不一定更高。半导体器件里，温度只是一个表面变量，真正把输运压下去的，常常是晶格散射和界面散射一起在起作用。
-
半导体良率难升，缺陷地图先说话
良率卡住时，最先该看的往往不是终测报表，而是缺陷地图。半导体产线里的失效如果有空间分布，问题通常已经不是单个器件坏，而是某道工序在系统性偏移。
-
半导体光刻一偏，工艺窗口就塌
光刻一旦对不准，后面的薄膜、刻蚀和金属化都会被连锁放大。半导体制造里，很多良率损失不是线宽本身不够准，而是对准误差先把窗口挤没了。
-
半导体封装寄生先抬头，带宽就先丢
高速驱动器、射频开关和功率芯片一旦封进封装，外部看到的就不再是裸片，而是带寄生的系统。半导体封装寄生先抬头时，带宽往往比直流指标先掉。
-
新架构赋能功率半导体，全面升级运作效能
在新能源发电、电动汽车、AI数据中心、高端工业制造等产业高速迭代的当下，功率半导体作为电能转换、传输与控制的核心元器件，其运作效能直接决定了设备能耗水平、功率密度与运行稳定性。传统硅基功率器件受限于老旧芯片结构、封装形式与系统拓扑设计，普遍存在开关损耗高、导通电阻大、热失控风险突出、高频工况适配性差等问题，逐渐难以适配高压、高频、高效、小型化的行业需求。而全新器件架构、封装架构与系统拓扑架构的协同创新，打破了传统技术瓶颈，从芯片底层、封装散热、系统适配三个维度大幅提升功率半导体运作效能，成为电力电子产业节能增效、技术升级的核心驱动力。
-
多措并举稳供需 护航下一代碳化硅器件产业高质量发展
作为第三代半导体核心材料，碳化硅(SiC)器件凭借耐高压、低损耗、耐高温、高频性能优异等独特优势，成为新能源汽车、光伏储能、高端算力、航空航天等战略领域的核心元器件。随着全球新能源转型与数字基建提速，下一代碳化硅器件正向大尺寸、高良率、车规级、集成化方向迭代，市场需求呈爆发式增长。但当前产业存在结构性供需失衡问题，低端产能过剩、高端供给不足、产业链配套滞后等问题凸显，制约了产业规模化、高质量发展。保障下一代碳化硅器件供需动态平衡，已成为夯实我国半导体产业根基、抢占全球宽禁带半导体赛道主动权的关键。
-
Rambus推出嵌入式硬件安全模块RT-648 将基于Arm的信任根引入汽车CSS生态系统
随着汽车行业全面向软件定义汽车(SDV)转型，安全架构必须从独立功能演进为集成化的平台级能力。新一代汽车片上系统( SoC)不仅需要更强大的安全防护，还要求具备标准化、可扩展的基础架构，以适应更广泛的半导体生态系统。
982235648
深蓝1988
yuxiyub
doudou666
kwkam
lvlv99
xsw220
davyean
onlydxk
ttttxxxx
e_town
13526569668
13526569668
aibjinhu521
eanry
liangzai135230
Shawn123
qsddqsdd3
Ragnarok
LED2013
