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一文搞懂功率MOSFET的参数测试说明
功率MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)作为电力电子系统的核心器件，其性能直接决定了设备的效率、可靠性与安全性。参数测试是评估功率MOSFET品质的关键环节，通过系统检测静态与动态特性参数，可全面掌握器件的电气性能，为选型、应用及质量管控提供科学依据。
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MOS管中的安全区详解
MOS管中的安全区，即安全工作区(Safe Operating Area，简称SOA)，是指由一系列电压和电流坐标点形成的一个二维区域。这个区域定义了MOS管在正常工作条件下所能承受的最大电压和电流范围。只要MOS管的工作电压和电流不超过这个区域，就可以认为是安全的;一旦超出这个区域，就可能导致器件损坏，甚至可能引发爆炸等严重后果。
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汇总功率MOSFET零电压软开关ZVS的基础
高频高效是开关电源及电力电子系统发展的趋势，高频工作导致功率元件开关损耗增加，因此要使用软开关技术，保证在高频工作状态下，减小功率元件开关损耗，提高系统效率。
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一文搞懂直流稳压电源同步整流MOSFET失效问题分析与解决方案
同步整流MOSFET是一种基于金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的电子器件，广泛应用于交流电到直流电的转换过程中。它能够实现高效率的整流，提供稳定的直流输出。
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东芝电子元件及存储装置发布150V N沟道功率MOSFET
采用最新一代工艺，提高了电源效率 日本川崎, 2022年4月1日 /美通社/-- 东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，简称“东芝”）推出了150V N沟道功率MOSFET（金属...
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工作于线性区功率MOSFET（5）：分立负载开关及热插拨设计7步法
完整的分立负载开关及热插拨外围电路，如图1所示，包括如下元件：（1）G极电阻总和RG及其并联快关断二极管D1（2）功率MOSFET的G、S外加电容CGS1（3）G、D外加电容CGD1和电阻RGDRG为G极电阻总和，包括功率MOSFET内部电阻，驱动芯片上拉电阻，外加串联电...
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工作于线性区功率MOSFET（4）：di/dt和dv/dt分开控制方法
题注：本文介绍的di/dt、dV/dt分开单独控制方法，不仅适用于负载开关，还广泛用于电机控制功率MOSFET或IGBT驱动电路：（1）调整驱动电路电阻RG，调整dV/dt（2）调整并联电容CGS，调整di/dt1、功率MOSFET的开关过程功率MOSFE...
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工作于线性区功率MOSFET（3）：热插拨浪涌电流限制方法
通信设备和服务器中，在插入和拔出电路板和板卡进行维修或者调整容量时，系统必须能够保持正常工作。当后级的电路板和板卡接入前级电源系统时，由于后级电路输入端带有大的滤波电容，那么，在上电的瞬间电容相当于短路，大的电容充电电流和负载电流一起作用，产生大的浪涌电流，同时大的浪涌电流导致高...
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正确理解功率MOSFET的RDS(ON)温度系数特性
▼点击下方名片，关注公众号▼通常，许多资料和教材都认为，MOSFET的导通电阻具有正的温度系数，因此可以并联工作。当其中一个并联的MOSFET的温度上升时，具有正的温度系数导通电阻也增加，因此流过的电流减小，温度降低，从而实现自动的均流达到平衡。同样对于一个功率MOSFET器件，...
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2020年全球功率MOSFET和IGBT供应商营业额及排名
2020年，功率MOSFET和IGBT产能非常紧缺，交货周期依然非常长。下游需求旺盛，功率MOSFET和IGBT原厂和晶圆代工厂多次上调价格，由于受到产能的限制，功率MOSFET和IGBT的市场供给仍然处于非常紧张的状态，这种状况一直持续到2021年。OMDIA、Yole及其他的...
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减小汽车设备尺寸，从N沟道功率MOSFET产品开始！
一个人的工作能力是指他承担某项工作、执行某项业务、任务的能力。具体表现有两方面，一是他的专业知识水平，二是他解决、处理实际工作的能力。在实践中二者常常是揉合在一起，相得益彰。运用所学知识处理实际工作的能力主要通过实践培养起来的。点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！新品近日，东芝针...
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工作于线性区功率MOSFET的设计（2）：线性区负温度系数
1、线性区工作负温度系数特性功率MOSFET的转移特性如图1所示，VGS与电流ID曲线有一个温度系数为0的电压值5.5V，通常这个点就称为零温度系数点ZTC（ZeroTemperatureCoefficient）。VGS高于5.5V时，温度越高电流越小，功率MOSFET的RDS是...
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2020年全球功率MOSFET/IGBT供应商营业额及排名
2020年，功率MOSFET/IGBT产能非常紧缺，交货周期非常长。下游需求旺盛，功率MOSFET/IGBT原厂和晶圆代工厂多次上调价格，由于受到产能的限制，功率MOSFET市场供给仍然处于紧张的状态，一直持续到2021年。IHS、Yole及其他的一些全球著名市场研究机构，在其年...
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工作于线性区的功率MOSFET的设计（1）
1、概述在笔记本电脑主板、LCDTV主板、STB机顶盒等电子系统应用中，内部有不同电压的多路电源，通常需要采用功率MOSFET作为负载切换开关，控制不同电压的电源的上电时序；同时还有USB接口，用于输出5V电压，这些电源通常后面带有较大的电容，也需要负载开关，限制后面电容在上电的...
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电池充放电管理PCM保护板功率MOSFET应用（2）
4、PCM功率MOSFET的性能要求离子电池的容量从早期的600mAh、1000mAh到现在，高达6000mAh、10000mAh，为了实现更快的充电速度，降低充电时间，通常采用提高电流、使用大电流充电的快充技术，那么，大电流充电，对电池包内的功率MOSFET就提出了更高的技术...
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东芝推出采用TOLL封装的650V超级结功率MOSFET，有助于提高大电流设备的效率
点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在其TOLL（TO-无引线）封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET---TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和TK190U65Z...
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功率MOSFET的应用问题分析20180420
问题1：在功率MOSFET的应用中主要考虑哪些参数？在负载开关的应用中，如何计算其导通时间？PCB的设计，铜箔面积开多大会比较好？D、S极的铜箔面积大小是否需要一样？有公式可以计算吗？回复：MOSFET主要参数包括BVDSS，RDS(on)，Crss，Coss以...
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功率MOSFET铝接合线的连续电流实验
通常功率MOSFET的数据表中定义了基于硅片结温和封装限制的额定连续漏极电流ID值，理论上基于接合线的熔化理论来计算接合线的电流限制值。功率MOSFET源极管脚的铜皮（内部框架）可以有助于硅片的散热，大多数情况下，功率MOSFET晶元的表面、线的接合处具有最高的电流密度，因此功率...
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功率MOSFET损坏模式及分析
摘要：本文结合功率MOSFET管失效分析图片不同的形态，论述了功率MOSFET管分别在过电流和过电压条件下损坏的模式，并说明了产生这样的损坏形态的原因，也分析了功率MOSFET管在关断及开通过程中，发生失效形态的差别，从而为失效是在关断还是在开通过程中发生损坏提供了判断依据。给出...
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电池充放电管理PCM保护板功率MOSFET应用（1）
0、前言锂离子电池包的内部，电芯和输出负载之间要串联功率MOSFET，使用专用的IC控制MOSFET的开关，从而对电芯的充、放电进行管理，如图1所示。在消费电子系统中，如手机电池包，笔记本电脑电池包等，带有控制IC、功率MOSFETFE管以及其他电子元件的电路系统称为电池充放电...
