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英飞凌在德国德累斯顿启用全球最大功率半导体与模拟/混合信号芯片晶圆厂，为德国、欧洲乃至全球注入发展新动能
【2026年7月2日，德国德累斯顿讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)今日宣布，正式启用其位于德国德累斯顿的智能功率晶圆厂(Smart Power Fab，以下同)，较原计划提前数月投产。该项目总投资达50亿欧元，是英飞凌历史上规模最大的单笔投资，也是德国近年来最大的投资项目之一，将新增1000个直接就业岗位。随着新工厂的投产，英飞凌在德累斯顿基地的产能将实现翻番，并形成全球最大的智能功率半导体和模拟/混合信号技术生产基地。
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英飞凌在德国德累斯顿启用全球最大功率半导体与模拟混合信号芯片晶圆厂，为德国、欧洲乃至全球注入发展新动能
英飞凌在德国德累斯顿启用全球最大功率半导体与模拟/混合信号芯片晶圆厂，为德国、欧洲乃至全球注入发展新动能 50亿欧元投资用于进一步强化先进功率半导体制造基础，新的“智能功率晶圆厂”将创造1000个就业岗位 英飞凌半导体为汽车和工业领域的高能效解决方案提供支持，包括AI数据中心电源、可再生能源、电网以及软件定义汽车等应用 产能可实现双倍速爬坡，从而更加灵活高效地把握市场机遇
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电动涡轮增压器中MOSFET性能评估：高功率密度与耐高温的实际表现
电动涡轮增压器作为提升发动机效率的核心部件，其内部功率半导体器件的稳定性直接决定系统运行上限，而 MOSFET 作为关键功率开关元件，其性能参数(高功率密度、耐高温、抗振动)与电动涡轮增压器的工况适配度，直接影响整机的可靠性、功率输出效率及使用寿命。本文将围绕上述三大核心维度，结合东芝车载 MOSFET 产品的技术特性与实测数据展开评估分析 [1][2]。
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Littelfuse推出用于汽车电源保护的高压TPSMC、TPSMD、TP5.0SMDJ瞬态抑制二极管
美国 伊利诺伊州罗斯蒙特、中国 上海 — 2026年5月12日 — 为安全高效的电能传输提供先进解决方案的领导企业Littelfuse公司 (NASDAQ：LFUS)，今天宣布推出 TPSMC, TPSMD 及 TP5.0SMDJ 高压瞬态电压抑制(TVS)二极管系列，通过专为汽车高压电力电子应用设计的器件(包括电池断路装置(BDU)、高压HVAC系统和正温度系数(PTC)加热器)扩展了TP系列产品组合。(观看视频。)
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SiC器件：驱动电动汽车市场高质量发展的核心引擎
在全球“双碳”目标引领下，电动汽车(EV)已成为汽车产业转型的核心方向，而功率半导体作为EV电驱系统的“心脏”，直接决定车辆的续航、补能效率与综合性能。传统硅基器件受物理特性限制，难以满足EV向长续航、快充电、轻量化升级的需求。碳化硅(SiC)器件凭借宽禁带材料的先天优势，打破技术瓶颈，从核心部件革新推动EV产业迭代，成为激活EV市场增长的关键动力，助力全球汽车电动化转型提速。
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高性能功率半导体封装在汽车通孔中的应用探析
随着新能源汽车产业的迅猛发展，汽车电动化、智能化转型持续深化，车规级功率半导体作为电驱动系统、车载充电机、DC/DC转换器等核心部件的关键支撑，其性能直接决定汽车的动力效率、可靠性与安全性。通孔技术(THT)作为传统电子元件安装工艺，凭借卓越的机械强度、散热优势和长期可靠性，在汽车极端工作环境中仍占据不可替代的地位。高性能功率半导体封装与汽车通孔技术的深度融合，不仅破解了传统封装在功率密度、热管理等方面的瓶颈，更推动汽车电子系统向高效化、小型化、高可靠性方向升级，成为新能源汽车产业高质量发展的重要支撑。
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关断尖峰为何抬高？续流恢复怎么压住？
功率半导体切换速度越快，问题越不会停留在额定参数表上。很多失效并不是芯片本身耐压不够，而是开关瞬间的寄生参数和续流路径把本可控的电压、电流尖峰放大成了过冲、误导通和局部发热。
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群光电能采用英飞凌CoolGaN™ G5晶体管，为一线笔记本品牌打造高功率适配器
【2026年3月13日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)近日宣布，全球领先的笔记本适配器制造商群光电能已采用其CoolGaN™ G5晶体管，为核心客户提供多款笔记本适配器。该设计方案展示了氮化镓(GaN)功率半导体如何加速向更紧凑、更节能的充电解决方案转型，从而使主流计算设备实现更小的尺寸和更好的可持续性。
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英飞凌碳化硅功率半导体成功应用于丰田“bZ4X”新车型
【2026年2月28日，德国慕尼黑和日本东京讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)近日宣布，全球最大汽车制造商丰田已在其新款车型bZ4X中采用了英飞凌的CoolSiC™ MOSFET(碳化硅功率MOSFET)产品。这款碳化硅MOSFET集成在车载充电器(OBC)和DC/DC转换器中，利用碳化硅材料低损耗、耐高温、耐高压的特性和优势，能够有效延长电动汽车的续航里程并缩短充电时间。
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英飞凌荣膺阳光电源2025年度“全球战略伙伴”殊荣
【2026年2月12日, 中国上海讯】近日，在阳光电源2026全球合作伙伴大会上，全球功率系统半导体领导者英飞凌科技凭借卓越的技术创新能力、丰富的产品组合以及深度的产业协同荣膺阳光电源2025年度“全球战略伙伴”殊荣。英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁Dr. Peter Wawer、英飞凌科技高级副总裁兼工业与基础设施业务首席营销官Andreas Weisl、英飞凌科技执行副总裁Dominik Bilo、英飞凌科技高级副总裁、工业与基础设施业务大中华区负责人于代辉出席了本次活动。
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英飞凌发布《2026年GaN技术展望》：技术创新引领功率半导体领域氮化镓高速增长
【2026年2月10日, 德国慕尼黑讯】氮化镓(GaN)电源解决方案的普及正推动功率电子行业迎来一场重大变革。全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)发布《2026年GaN技术展望》，深度解析GaN的技术现状、应用场景及未来前景，为行业提供重要参考。
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MOS管关断缓慢致恒流区与夹断区临界点发热严重的机理及解决对策
MOS管作为电压控制型功率半导体器件，凭借高频开关特性、低导通损耗等优势，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子电路中，其工作稳定性直接决定整个电子系统的可靠性与能效水平。在理想工况下，MOS管应在导通与关断状态间瞬时切换，开关损耗可忽略不计，但实际工程应用中，关断缓慢导致器件长时间停留于恒流区与夹断区临界点的问题频发，引发剧烈发热，不仅降低电路效率，还会加速器件老化，甚至导致MOS管烧毁、系统瘫痪，成为电力电子设计中的核心痛点。本文结合MOS管工作特性，深入剖析该现象的内在机理、影响因素，并提出针对性优化方案，为工程设计提供参考。
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功率半导体和宽禁半导体有何不同？有哪些应用领域
在这篇文章中，小编将对半导体的相关内容和情况加以介绍以帮助大家增进对它的了解程度，和小编一起来阅读以下内容吧。
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长距离出行需求下的功率器件革命
在全球新能源汽车产业向 “长续航、快充电、高效率” 转型的浪潮中，功率半导体作为电能转换的核心部件，直接决定车辆续航里程与能源利用效率。传统硅基 IGBT 器件因导通损耗高、耐高温性差等局限，已难以满足超长距离电动汽车(续航目标 600km+)的技术需求。碳化硅(SiC)作为第三代宽禁带半导体材料，凭借其卓越的电学特性，成为破解长距离出行痛点的关键技术，其有效实施正在重塑电动汽车功率系统的设计逻辑。
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SK keyfoundry加速碳化硅化合物功率半导体技术开发
-- 通过收购SK powertech掌握核心技术能力，目标2025年底前提供工艺技术 -- 韩国首尔2025年11月12日 /美通社/ -- 韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry宣布，正加速开发碳化硅(SiC)化合物功...
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东芝携150年创新积淀八赴进博，以科技赋能可持续未来
上海2025年11月5日 /美通社/ -- 深秋时节，黄浦江畔，第八届中国国际进口博览会（以下简称"进博会"）盛大举行，再次奏响全球交融发展的新乐章。作为进博会坚定不移的"老朋友"，东芝连续八年参与这一全球经贸盛会。展会现场，东芝以&quo...
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泰瑞达宣布推出ETS-800 D20双站点自动测试系统，满足功率半导体多样化测试需求
2025年10月23日，中国 北京讯 —— 全球领先的自动测试设备和机器人供应商泰瑞达(NASDAQ:TER)宣布，推出面向功率半导体领域的高性能测试平台ETS-800的最新成员ETS-800 D20。ETS-800 D20，具备多功能性与成本效益优势，可同时满足大批量芯片测试以及多品种、小批量芯片测试需求，可更好地服务客户的多样化场景。
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瑞萨电子采用下一代功率半导体 为800伏直流AI数据中心架构供电
2025 年 10 月 14 日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)宣布，支持NVIDIA宣布的800伏直流电源架构的高效电源转换和分配，推动下一代更智能、更快速的人工智能(AI)基础设施发展。
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英飞凌2025财年第三季营收符合预期，利润超出预期 尽管面临持续的关税不确定性和美元走弱，本季度预计将进一步增长
· 2025 财年展望：假设第四季度欧元兑美元汇率为1:1.15(此前为1:1.125)，预计本财年营收约为146亿欧元，较上一年将略有下降。调整后的毛利率预计达到40%以上(此前为约40%)，利润率为17%~19%左右(此前为14%~16%)。投资额约 22 亿欧元(此前为23亿欧元)。自由现金流将自然增长至10 亿欧元左右(此前为约9亿欧元)。考虑到从Marvell收购汽车以太网业务即将完成，自由现金流预计将达到约负12亿欧元。调整后的自由现金流(扣除对前道厂房的投资和大型并购交易后)预计为约17亿欧元(此前为16亿欧元)。
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开启电子热管理技术圈的正向设计之门|鲁欧智造第三届用户大会成功举办
7月18日，由鲁欧智造(山东)数字科技有限公司主办、中关村集成电路设计园、北航确信可靠性联合实验室协办的第三届用户大会在北京朗丽兹西山花园酒店成功举办。本次大会以“开启电子热管理技术圈的正向设计之门”为主题，吸引了来自全国各地的300余名行业专家、企业代表及技术精英齐聚北京。
