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ESD 导致电子器件功能失效的两大核心机理解析
在电子制造业与电子设备运维领域，静电放电(Electrostatic Discharge，简称 ESD)是导致电子器件功能失效的 “隐形杀手”。据行业数据统计，电子制造业中因 ESD 引发的产品不良率占总不良率的 25% 以上，且超过 30% 的电子器件早期失效与 ESD 损伤直接相关。ESD 之所以能对精密电子器件造成毁灭性影响，核心源于其触发的两种关键失效机理 ——静电放电电流烧毁机理与静电场击穿机理。这两种机理从不同维度破坏器件结构与性能，最终导致器件无法正常工作，深入理解其作用过程对电子器件的防护设计与可靠性提升具有重要意义。
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三极管输入、输出特性曲线是怎样的？如何预防三极管被击穿
本文中，小编将对三极管予以介绍，如果你想对它的详细情况有所认识，或者想要增进对它的了解程度，不妨请看以下内容哦。
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如何选取MOS管？MOS管击穿问题分析
一直以来，MOS管都是大家的关注焦点之一。因此针对大家的兴趣点所在，小编将为大家带来MOS管的相关介绍，详细内容请看下文。
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关于场效应管应用，你不得不了解的事
你知道场效应管应用吗？对于工程师而言，每天的研发设计会经常性与晶体三极管打交道，所以了解这个元器件是很有必要的。众所周知，由于场效应管有独特的特点，造就了输入阻抗高，噪声低，热稳定性好等优点。我们知道场效应晶体管的种类很多，根据结构不同分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管;绝缘栅型场效应管又称为金属氧化物导体场效应管，或简称MOS场效应管。今天我们就从场效应管应用的角度去看看，那些还需要我们了解呢?
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MOS管“击穿”的一些情况解析
什么是MOSFET的击穿?你真滴吗?MOSFET的击穿有哪几种，你了解吗?今天小编就给大家科普一下关于MOSFET击穿的知识点!速来学习吧~MOSFET的击穿分为三种：Source、Drain、Gate，场效应管的三极：源级S 漏级D 栅级G，(这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿)。
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LED特性分析
现在大街上随处可见的LED显示屏，还有装饰用的LED彩灯以及LED车灯，处处可见LED灯的身影，LED已经融入到生活中的每一个角落。二极管，(英语：Diode)，电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。
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用万用表如何测量电容击穿、漏电？
用万用表判断电容器质量:视电解电容器容量大小，通常选用万用表的 R×10 、 R×100 、 R×1K 挡进行测试判断。红、黑表笔分别接电容器的负极(每次测试前，需将电容器放电)，由表针的偏摆来判断电容器质
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用万用表如何测量电容击穿、漏电？
视电解电容器容量大小，通常选用万用表的 R×10 、 R×100 、 R×1K 挡进行测试判断。红、黑表笔分别接电容器的负极(每次测试前，需将电容器放电)，由表针的偏摆来判断电容器质量。
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MOS管为什么会被静电击穿？
MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/
