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如何准确测量光电二极管的击穿电压？如何提高击穿电压？
以下内容中，小编将对光电二极管的相关内容进行着重介绍和阐述，希望本文能帮您增进对光电二极管的了解，和小编一起来看看吧。
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光电二极管击穿电压的物理机理是什么？与类型有什么关系
今天，小编将在这篇文章中为大家带来光电二极管的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对它具备清晰的认识，主要内容如下。
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你了解光电二极管击穿电压吗？击穿电压的影响因素有哪些
一直以来，光电二极管都是大家的关注焦点之一。因此针对大家的兴趣点所在，小编将为大家带来光电二极管的相关介绍，详细内容请看下文。
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齐纳击穿的击穿电压与温度升高的关系
电容器是电子电路中至关重要的组件之一，它储存和释放电能，用于平滑电流、滤波、耦合信号、定时等功能。然而，电容器在运行过程中可能会遇到击穿现象，即其绝缘材料失去绝缘性能，导致电容两极间发生放电。
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绝缘油试验判定充油电气设备故障原因的方法分析
介绍了充油设备中绝缘油造成设备故障的常见情况。通过对两起典型真实事故案例的对比 ,分析了不同情况下 ,不合格绝缘油引发设备故障的基本过程 , 总结出绝缘油试验在判定类似故障原因时的流程和标准 , 为今后更加科学快速地分析同类故障提供了依据。
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电源相关名词及解释
ACPI：是由Intel、Microsoft等联合推出的一种电源管理规范，它将电源管理集成到硬件、操作系统和应用程序中，实现了由操作系统对电源的全面管理。具备ACPI功能的电脑在不使用时处于功耗极低的挂起状态，modem等接收到信号时可自动开机，并可以实现软件关机，适应了日益增长的网络应用要求。
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关于MOSFET的这些关键指标，你知道吗？
什么是MOSFET?它有什么作用?MOSFET是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。同时也是工程师们利用率最频率最高的器件之一，那么了解MOSFET的关键指标是非常有必要的。各位工程师们你们已经了解全了吗?
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实现具有更高击穿电压和更低待机电流的离线辅助PSU
现在，提高能效的需求正在影响自动化的所有领域。这包括家庭中的白色家电，这些家电是在家庭自动化与今天的意义完全不同的时候构思的。几十年前，当我们开始依赖这些设备时，能源的财务和环境成本就没有为消费者带来的便利那么重要，但是这种不平衡最近已经改变，现在正在解决。
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IEMN 结果显示 ALLOS 新型硅基氮化镓外延片产品具有超过 1400 V 的击穿电压
法国 IEMN 研究所的 Farid Medjdoub 博士领导的一支团队制造出了器件，并在由德国 ALLOS Semiconductors 公司提供的两款不同的硅基氮化镓外延片产品上进行了测量。
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晶体管参数在实际使用中的意义
做模拟电路的工程师，都有过使用晶体管(场效应管也是晶体管中的一种)、运放的经验和体会。尤其是在设计时，更会对晶体管的一些电参数进行测试和考量。在测试时，许多人对晶体管电参数的实测值与规格书所提供的规范值
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一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计
摘要：提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMO
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变压器油的介电强度试验
电力企业普遍都使用自动化程度较高的全自动微机介电强度试验测试仪，能使整个测试过程自动操作完成，与传统方法相比较，且有使用安全，操作简便，数据结果准确等特点。但在实际试验中，由于操作人员专业技术知识欠缺
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稳压二极管工作原理
稳压二极管工作原理在通常情况下，反向偏置的PN结中只有一个很小的电流。这个漏电流一直保持一个常数，直到反向电压超过某个特定的值，超过这个值之后PN结突然开始有大电流
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稳压二极管
稳压二极管简介稳压二极管，英文名称Zener diode，又叫齐纳二极管 。它的电路符号是：此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上，
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普通二极管和稳压二极管的区分
有时普通二极管(如检波二极管)和小功率稳压二极管字迹脱落，由于外形相似而无法区别。但是，它们之间特性有两个明显的区别:一般二极管多工作在正向导通和反向截止状态下，稳压二极管则工作在反向击穿状态下;绝大多数
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正确操作加速RF器件测试的方法
对所有的电子元件的制造商而言，测试速度都是很重要的，而对于低价格的二、三引脚元件如二、三极管来说却更是至关重要。在RF测试能够进行之前，必须测试这些器件的直流工作状态。对于二极管来说，包括正向压降、反响
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大功率VDMOS(200V)的设计研究
功率MOS场效应晶体管是新一代电力电子开关器件，在微电子工艺基础上实现电力设备高功率大电流的要求。自从垂直导电双扩散VDMOS(VerticalDou-ble-diff used Metal Oxide Semiconductor)新结构诞生以来，电力MOSFET得到
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大功率VDMOS(200V)的设计研究
功率MOS场效应晶体管是新一代电力电子开关器件，在微电子工艺基础上实现电力设备高功率大电流的要求。自从垂直导电双扩散VDMOS(VerticalDou-ble-diff used Metal Oxide Semiconductor)新结构诞生以来，电力MOSFET得到
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高效能保护器件-TVS的特性及应用
瞬态电压抑制器（Transient Voltage Suppressor）简称TVS，是一种二极管形式的高效能保护器件，有的文献上也为TVP、AJTVS、SAJTVS等。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10-12秒量级的速度，将其两极
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瞬态抑制器的性能与应用
瞬态干扰 瞬态干扰指交流电网上出现的浪涌电压、振铃电压、火花放电等瞬间干扰信号，其特点是作用时间极短，但电压幅度高、瞬态能量大。瞬态干扰会造成控制系统的电源电压的波动;当瞬态电压叠加在控制系统的输入电
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