-
新唐科技发布高功率紫外激光二极管(379 nm，1.0 W)
阻力无掩膜光刻技术以其高精度和高生产效率适用于先进半导体封装
-
Imec展示首个采用EUV光刻技术的晶圆级固态纳米孔制造工艺
这项突破性技术使生命科学和医疗保健领域实现可扩展、高精度的生物传感器应用成为可能 比利时鲁汶2025年12月10日 /美通社/ -- Imec首次成功在300毫米晶圆上采用EUV光刻技术制造晶圆级固态纳米孔。 这项创新将纳米...
-
不一样的展会，不一样的精彩：2025湾芯展顺利收官
深圳2025年10月17日 /美通社/ -- 10月17日，2025湾区半导体产业生态博览会（2025湾芯展）在深圳会展中心（福田）圆满收官。全球600多家展商、超30场论坛，在6万平方米的展区内，打造一场"不一样的展会"，呈现出"不一样的精彩&qu...
-
思坦科技助力深紫外Micro-LED显示无掩膜光刻技术荣登Nature Photonics
深圳2024年10月18日 /美通社/ -- 由思坦科技与南方科技大学、香港科技大学、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）联合攻关的重大成果——基于高功率 AlGaN 深紫外 Micro-LED 显示的无掩膜光刻技术，于10月15日正式在国际顶尖权威学术期刊 Nature Pho...
-
光刻技术的基本原理是什么？主要有哪些应用？
光刻技术是一种常用于半导体制造过程中的关键技术。它是通过使用光刻机将设计好的芯片图形投射到半导体材料表面，并进行一系列加工步骤，最终形成微米级别的芯片结构。本文将详细介绍光刻技术的基本原理以及主要应用。
-
在当下的半导体先进制程领域中，三星、英特尔、台积电三足鼎立，各有千秋
如果说台积电成功的首要原因是是开创了半导体业界首个代工的模式，那么，持续不断的在逻辑制程上的自主研发，则是维持台积电一直成功前行的燃料。从1987年的3微米制程到预计2022年量产的3纳米，台积电平均2年开发一代新制程，这是台积电逻辑制程激荡的35年。
-
在当下半导体先进制程领域中，三星、英特尔、台积电三足鼎立各有千秋
如果说台积电成功的首要原因是是开创了半导体业界首个代工的模式，那么，持续不断的在逻辑制程上的自主研发，则是维持台积电一直成功前行的燃料。从1987年的3微米制程到预计2022年量产的3纳米，台积电平均2年开发一代新制程，这是台积电逻辑制程激荡的35年。
-
可编程逻辑件概述
可编程逻辑器件 英文全称为：programmable logic device 即 PLD。PLD是做为一种通用集成电路产生的，他的逻辑功能按照用户对器件编程来确定。一般的PLD的集成度很高，足以满足设计一般的数字系统的需要。
-
光刻技术的工艺流程和曝光系统
集成电路制造中利用光学- 化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。随着半导体技术的发展，光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2～3个数量级(从毫米级到亚微米级)，已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术;使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级范围。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。
-
中科院辟谣：5nm光刻技术被误读，国产水平在180nm
今年 7月份，中科院发表的一则《超分辨率激光光刻技术制备5纳米间隙电极和阵列》的研究论文引起了广泛的关注。 当时，华为正被美国打压，中国芯片产业成为了国人的心头忧虑。 因此，中科院此新闻一出，遭部分媒体夸张、误解之后，立刻引起了一片沸腾。有媒体将其解读为“中国不用EUV光刻机，便能制造出5nm芯片”，但事实并非如此。
-
5nm光刻技术突破ASML垄断？中科院研发者回应，真相是这样的！
近日，中国科学院官网上发布的一则研究进展显示，该团队研发的新型5nm超高精度激光光刻加工方法，随后这被外界解读为，已经5nm ASML的垄断，对此相关人士也是进行了回应。
-
深度：光刻技术的历史与现状
集成电路的飞速发展有赖于相关的制造工艺—光刻技术的发展,光刻技术是迄今所能达到的最高精度的加工技术。集成电路产业是现代信息社会的基石。集成电路的发明使电子产品成本大幅度降低，尺寸奇迹般减小。
-
泛林集团推出全新适用于200mm的光刻胶剥离技术
泛林集团旗下GAMMA®系列干式光刻胶剥离系统推出最新一代产品，将该系列GxT®系统晶圆加工能力从300mm拓展至200mm。
-
EV Group通过LITHOSCALE技术实现无掩膜光刻技术在批量生产中的运用
该系统整合了EV Group的MLE™（无掩膜曝光）技术的LITHOSCALE®，使多种应用和市场得以利用数字光刻技术的优势。
-
美国国防部资助了一项新的光刻技术项目
Multibeam Corporation 确认已开始一项雄心勃勃的项目，以应用其创新的Multicolumn电子束光刻技术（MEBL）对45nm及更大节点上的整个晶圆进行构图，无需使用任何光罩，即可进行后端（BEOL）处理。
-
台积电加速研发2nm工艺：成本可轻松超10亿美元
这几年，天字一号代工厂台积电一路高歌猛进：7nm工艺上独步天下，5nm工艺也正在量产，3nm工艺就在不远处，2nm工艺也正在蓝图上铺开…… 在最新的2019年年报中，台积电
-
扇出型封装技术难题
现在的技术的发展也推动着封装技术的不断发展。先进封装技术已进入大量移动应用市场，但亟需更高端的设备和更低成本的工艺制程。更高密度的扇出型封装正朝着具有更精细布线层的复杂结构发展，所有这些都需要更强大的光刻设备和其它制造设备。
-
我科学家另辟蹊径造出9纳米光刻试验样机
记者从武汉光电国家研究中心获悉，该中心甘棕松团队采用二束激光在自研的光刻胶上突破了光束衍射极限的限制，采用远场光学的办法，光刻出最小9纳米线宽的线段，实现了从超分辨成像到超衍射极限光刻制造的重大创新。
-
7nm EUV芯片来临！三星宣布今年6月开启大规模生产
据businesskorea报道，三星电子将于今年6月开始大规模生产7纳米(nm)极紫外(EUV)芯片。
-
科学家开发微电池 有望实现设备小型化
通过结合3D全息光刻和2D光刻技术，美国伊利诺伊大学厄巴纳—香槟分校的科学家日前开发出一种适用于大规模集成电路的高性能3D微电池。研究人员称，这种微型高能电池具有
