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简化光伏逆变器效率测量：从复杂操作到便捷高效的实践路径
光伏逆变器作为光伏发电系统的核心转换设备，其效率直接决定了太阳能资源的利用效率和电站的投资回报率。准确测量逆变器效率，既是产品质量控制、性能优化的关键，也是电站设计、运维决策的重要依据。然而，传统效率测量受标准规范、设备精度、操作流程等因素制约，存在流程繁琐、专业门槛高、耗时费力等问题，让不少企业和检测人员望而却步。本文结合NB/T 32004、GB/T 37408、GB/T 19964等行业标准，从设备选型、流程优化、技术创新三个维度，探讨如何让光伏逆变器效率测量变得更简单、更高效、更精准，助力光伏产业高质量发展。
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光伏微逆变器应用中的拓扑及工作原理详解
在全球能源转型的大背景下，光伏发电凭借清洁、可再生的特性，成为能源领域的重要发展方向。传统光伏发电系统中，多个光伏组件串联或并联后接入集中式逆变器，然而这种模式易受组件特性差异、部分阴影等因素影响，产生不匹配损耗和热斑现象，降低发电效率。光伏微逆变器的出现有效解决了这一难题，它直接与单个光伏组件相连，能实现组件级的最大功率点跟踪，显著提升整体发电效率。
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并网光伏逆变器的防孤岛保护功能
在全球能源转型的浪潮中，光伏发电凭借清洁、可再生的特性，成为新能源领域的主力军。并网光伏系统作为光伏发电的主流应用形式，将太阳能转化的电能直接并入公共电网，实现了能源的高效利用。然而，在系统运行过程中，一种名为“孤岛效应”的现象，如同隐藏的安全隐患，时刻威胁着电网设备安全与运维人员生命安全。作为并网光伏系统核心设备的逆变器，其防孤岛保护功能便成为抵御这一风险的关键防线。
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安森美助推上能电气光伏与储能解决方案升级
EliteSiC技术助力上能电气提升其高功率储能与光伏逆变器解决方案的能效、功率密度和长期可靠性
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ROHM全面启动新型SiC塑封型模块的网售！
中国上海，2026年2月26日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，其新型SiC模块“TRCDRIVE pack™”、“HSDIP20”及“DOT-247”已开始网售。近年来，全球电力紧缺危机加剧，节能的重要性日益凸显，这促使更多的应用产品通过采用SiC产品来实现高效率的功率转换。
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英飞凌推出首款带光耦仿真器输入的隔离栅极驱动器IC，支持新一代碳化硅应用
【2026年2月11日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出EiceDRIVER™ 1ED301xMC12I产品系列，这是一系列支持光耦仿真器输入的高性能隔离栅极驱动器IC。该系列器件与现有光耦仿真器和光耦合器引脚兼容，具备高共模瞬态抗扰度(CMTI)、强大的输出级，以及比现有解决方案更精准的时序特性。这使得工程师能够无缝迁移到碳化硅(SiC)技术，而无需对现有的光电控制方案进行重新设计。该产品系列非常适合对高速、可靠且支持SiC的栅极驱动器有严格要求的应用场景，例如电机驱动、光伏逆变器、电动汽车充电、储能系统等领域。
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大联大世平集团推出基于onsemi产品的IC评估板方案
2025年12月9日，致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下世平推出基于安森美(onsemi)NCP5156x芯片的双通道隔离驱动IC评估板方案。
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禾望电气选择 Wolfspeed，凭借先进的碳化硅技术助力风能未来
此次合作助力禾望电气推出风电行业首个全碳化硅功率柜
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碳化硅二极管（SiC SBD）在光伏逆变器中的选型指南：罗姆BM30G004MN-C与ST STPSC10H065CI的温升实测
在光伏逆变器领域，碳化硅肖特基势垒二极管(SiC SBD)凭借其零反向恢复电荷、高频开关特性及耐高温能力，正逐步取代传统硅二极管。然而，不同厂商的SiC SBD在温升表现、电气参数及封装设计上存在显著差异，直接影响系统效率与可靠性。本文以罗姆BM30G004MN-C与意法半导体(ST)STPSC10H065CI两款典型产品为例，结合光伏逆变器实际应用场景，解析选型关键要素。
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ROHM推出二合一SiC模块“DOT-247”，可实现更高的设计灵活性和功率密度
中国上海，2025年9月22日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出二合一结构的SiC模块“DOT-247”，该产品非常适合光伏逆变器、UPS和半导体继电器等工业设备的应用场景。新模块保留了功率元器件中广泛使用的“TO-247”的通用性，同时还能实现更高的设计灵活性和功率密度。
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拆解安森美核心光伏方案：从器件到系统，全面推动能效提升
太阳能逆变器种类丰富，可按类型（集中式、组串式、微型）或终端应用场景（住宅、商业、公用事业）进行划分。目前，组串式逆变器因具备灵活性高、易于安装的特点而应用最为广泛。随着功率器件的不断迭代升级，单台逆变器的功率水平与功率密度持续提升，而单价和尺寸却不断下降，这使其成为太阳能逆变器市场的主流产品。
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可再生能源内置电源接口，光伏逆变器前级转换的MPPT与电网同步技术
在“双碳”目标驱动下，可再生能源发电系统正经历从“补充能源”向“主力能源”的转型。光伏逆变器作为连接光伏阵列与电网的核心设备，其前级转换环节的MPPT(最大功率点跟踪)技术与后级并网环节的电网同步技术，直接决定了系统的发电效率与电网兼容性。本文将从技术原理、工程实现及行业趋势三个维度，解析这两项关键技术的协同机制。
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光伏逆变器的EMC整改，SiC MOSFET的死区时间优化与dvdt控制策略
随着光伏发电系统向高功率密度、高转换效率方向发展，光伏逆变器作为核心设备，其电磁兼容性(EMC)问题日益凸显。尤其在采用SiC MOSFET等宽禁带器件后，高速开关特性虽提升了效率，却加剧了电磁干扰(EMI)与器件应力风险。本文结合深圳市南柯电子科技有限公司在光伏逆变器EMC整改中的实践经验，重点探讨SiC MOSFET的死区时间优化与dv/dt控制策略，为行业提供技术参考。
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LLC轻载效率突破，基于Q值与Mn的参数边界重构方法
在光伏逆变器、电动汽车充电桩等宽范围输入应用中，LLC谐振变换器因具备软开关特性、高功率密度和低电磁干扰等优势，成为中功率DC-DC转换的核心拓扑。然而，传统设计在轻载(<20%额定负载)条件下普遍面临效率衰减问题：谐振电流幅值降低导致零电压开关(ZVS)失效，开关损耗占比从重载时的15%激增至40%以上，效率降幅可达5-8个百分点。本文提出基于品质因数Q值与归一化电压增益Mn的参数边界重构方法，通过理论推导、仿真验证与实验测试，实现轻载效率提升3.2个百分点，为宽范围电源设计提供关键技术支撑。
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英飞凌推出具有超低导通电阻的CoolSiC™ MOSFET 750 V G2，适用于汽车和工业功率电子应用
【2025年7月1日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2。这款新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2专为提升汽车及工业功率转换应用的系统效率和功率密度而设计。它提供一系列精细化的产品组合，在25°C时R DS(on) 值为4至60 mΩ，广泛适用于车载充电器（OBC）、 DC-DC转换器、电动汽车（xEV）辅助设备等应用，以及电动汽车充电、光伏逆变器、储能系统、通讯和开关电源（SMPS）等工业应用。
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第三代半导体材料主要分类和应用
新能源汽车电机控制器、光伏逆变器(SiC器件可提升能效10%以上)。通信技术：5G基站射频前端(GaN器件支持更高频率)。国防与航天：抗辐射能力强的特性适用于卫星和雷达系统。
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光伏逆变器MPPT算法嵌入式实现：变步长扰动观察法的定点数优化
在光伏发电系统中，最大功率点跟踪（Maximum Power Point Tracking，MPPT）算法是提高光伏逆变器效率的关键技术。扰动观察法（Perturb and Observe，P&O）因其简单易实现而被广泛应用。然而，传统的扰动观察法存在步长固定的缺陷，可能导致跟踪速度与精度难以兼顾。同时，在嵌入式系统中，浮点数运算会消耗大量资源，定点数优化成为提升系统性能的重要手段。本文将探讨变步长扰动观察法的原理及其在光伏逆变器嵌入式实现中的定点数优化方法。
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为什么碳化硅Cascode JFET 可以轻松实现硅到碳化硅的过渡？
电力电子器件高度依赖于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）等半导体材料。虽然硅一直是传统的选择，但碳化硅器件凭借其优异的性能与可靠性而越来越受欢迎。相较于硅，碳化硅具备多项技术优势（图1），这使其在电动汽车、数据中心，以及直流快充、储能系统和光伏逆变器等能源基础设施领域崭露头角，成为众多应用中的新兴首选技术。
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光伏逆变器PCB设计的基本要求
光伏逆变器，作为将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电的关键设备，其性能和可靠性直接影响到整个光伏系统的效率和稳定性。
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三相光伏逆变器与单相并网光伏逆变器有何区别呢?
光伏发电系统一般分为单相并网发电系统及三相并网发电系统，一般来讲，小于5KW的系统一般采用单相并网，大于5KW的一般采用三相并网系统，那么，三相光伏逆变器与单相并网光伏逆变器有何区别呢?
