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MOS管低阻抗导通异常发热的原因及处理方案详解
MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)凭借开关速度快、输入阻抗高、驱动功率小、损耗低等优势，广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动、高频放大等各类电子电路中。在开关电源等核心应用场景中，MOS管常工作于低阻抗导通状态，理想情况下导通损耗极低，发热微弱可忽略不计。但实际应用中，若MOS管出现低阻抗导通时异常发热(如外壳烫手、温度超过85℃安全阈值)，不仅会导致器件性能衰减、寿命缩短，严重时还会引发热击穿、烧毁，甚至影响整个电路系统的稳定运行。
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多电源TN系统电源端中性点不直接接地的核心原因解析
在低压配电系统中，TN系统凭借其故障响应迅速、安全防护可靠的特点，被广泛应用于工业生产、商业建筑及民用住宅等场景。TN系统的核心定义是电源中性点接地，设备外露导电部分通过保护线(PE线)与中性线(N线)连接，形成故障电流的低阻抗回流通道。但在多电源供电的TN系统中，规范明确要求电源端中性点不得直接接地，这一设计并非否定接地的重要性，而是基于系统安全、稳定与可靠运行的综合考量。本文将从环流规避、供电连续性、故障处理优化、电磁干扰控制等方面，深入解析这一设计要求的核心原因。
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通过电源去耦保持集成电路电源低阻抗
在现代电子系统中，集成电路(IC)的性能对于整个系统的功能和可靠性起着至关重要的作用。而确保电源以低阻抗进入 IC 是维持其良好性能的关键因素之一。电源去耦作为一种重要手段，能够有效减少电源噪声和纹波，保持电源的稳定性，从而为 IC 提供纯净、低阻抗的电源输入。
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通过电源去耦保持电源进入集成电路的低阻抗
在电子电路的设计与应用中，确保电源进入集成电路(IC)的稳定性至关重要。电源去耦作为一种关键技术手段，对于维持电源进入 IC 各点的低阻抗发挥着不可或缺的作用。无论是模拟集成电路，如放大器和转换器，还是混合信号器件，像 ADC 和 DAC，亦或是数字 IC，例如 FPGA，它们的正常工作都与电源的稳定性紧密相连。
