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VGS在线性区时功率MOSFET反向导通问题探析
在电力电子电路中，功率MOSFET凭借开关速度快、驱动功率小、导通电阻低等优势，被广泛应用于逆变器、DC-DC转换器、电机驱动等场景。其工作状态主要分为截止区、线性区(欧姆区)和饱和区，不同工作区域的特性直接决定了电路的运行性能。当栅源电压VGS处于线性区时，功率MOSFET本应呈现低阻导通特性以实现电能的高效传输，但实际应用中常出现反向导通现象，这一问题会导致电路效率下降、器件温升过高甚至损坏，严重影响系统可靠性。本文将从线性区工作机制、反向导通成因、负面影响及抑制策略四个方面，对该问题进行深入探析。
