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氮化镓（GaN）器件在低纹波电源中的应用，高频开关与低反向恢复损耗的协同优势
在低纹波电源设计领域，氮化镓(GaN)器件正以独特的材料特性重塑技术边界。其核心优势源于高频开关能力与零反向恢复损耗的协同效应，这一组合不仅突破了传统硅基器件的物理极限，更在电源效率、体积优化及信号纯净度方面展现出革命性突破。
在低纹波电源设计领域，氮化镓(GaN)器件正以独特的材料特性重塑技术边界。其核心优势源于高频开关能力与零反向恢复损耗的协同效应，这一组合不仅突破了传统硅基器件的物理极限，更在电源效率、体积优化及信号纯净度方面展现出革命性突破。
