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MOS管控制电阻分压关断过冲的成因解析
在电力电子电路设计中，MOS管(金属-氧化物半导体场效应晶体管)凭借低导通电阻、高开关速度及电压控制的优势，成为电阻分压电路中实现精准通断控制的核心器件，广泛应用于电源管理、信号调理等领域。然而在实际应用中，MOS管关断瞬间常出现漏源极电压(V)超出稳态值的过冲现象，这种瞬时高压可能击穿MOS管、损坏分压电阻及后端负载，严重威胁电路稳定性与可靠性。深入探究过冲产生的根源，是优化电路设计、规避失效风险的关键。结合电路特性与实际应用场景，MOS管控制电阻分压关断过冲的成因主要源于寄生参数耦合、驱动电路特性偏差及负载与分压网络匹配失衡三大核心因素，具体分析如下。
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Nexperia推出的超微型MOSFET占位面积减小36%，且具备低导通电阻RDS(on)
采用易于使用的封装，适用于可穿戴设备和大批量应用
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东芝面向车载应用推出采用紧凑型封装的100V N沟道功率MOSFET
东芝今日宣布，推出两款面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET。
