二极管
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MOS管体二极管为何热？同步时序怎么调？
同步整流本来是为了降低损耗，但时序没调好时，最先发热的往往是体二极管和相邻开关。MOS管体二极管不是免费通路，它的导通和恢复都会把效率与应力拉回去。
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巧用瞬态分流抑制器 全面提升电路ESD保护性能
在现代电子设备高速集成、小型化发展的背景下，芯片制程不断升级，核心元器件的耐压、抗干扰阈值持续降低，静电放电(ESD)已成为诱发电子设备故障、损坏的核心诱因之一。ESD瞬态脉冲具备上升时间极短、峰值电压高、冲击能量集中的特点，极易击穿精密IC、烧毁电路走线，导致设备死机、功能异常甚至永久报废。传统ESD保护多依赖TVS瞬态抑制二极管，但受限于PN结击穿工作机制，存在钳位电压偏高、导通电阻大、温度稳定性差等短板，难以满足高频、高精度、高可靠性设备的防护需求。而瞬态分流抑制器(TDS)凭借全新的分流泄放机制，突破了传统器件的技术瓶颈，成为提升电路ESD保护性能的核心方案，广泛应用于消费电子、工业控制、车载电子等领域。
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二极管组件的核心原理与设计逻辑
在现代电子设备的庞大体系中，二极管是最基础却最不可或缺的半导体器件。而由两只及以上二极管组合封装而成的二极管组件，更是凭借缩小体积、简化安装、提升性能一致性的优势，成为电源、通信、工业控制等领域的核心元件。从日常使用的手机充电器，到医院里的X光机，再到变电站的高压直流设备，这些看似不起眼的组件，默默支撑着整个电子系统的稳定运行。
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整流二极管：电源电路的基础核心
二极管是电子电路中最基础也最核心的半导体器件之一，从最简单的整流电路到复杂的射频通信系统，从电源管理到信号检测，几乎所有电子设备都离不开二极管组件。经过百余年的发展，二极管已经衍生出数十种针对不同场景的细分品类，不同类型的二极管组件特性差异极大，选错类型不仅会导致性能不达标，还可能造成电路故障。
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详解肖特基二极管与瞬态抑制二极管TVS
在现代电子电路设计中，二极管作为基础半导体器件，衍生出了诸多功能细分的特殊品类，其中肖特基二极管和瞬态抑制二极管(TVS)是应用最广泛、功能定位最清晰的两类元件。二者虽然同属二极管家族，但从结构原理到功能作用有着本质区别：肖特基二极管凭借极低的正向压降和超快开关速度，承担着高效整流、防倒灌等核心功能;而瞬态抑制二极管则专注于瞬态过压防护，是电路中抵御浪涌冲击、静电放电的第一道防线。理解二者的作用原理与应用场景，是电子电路设计中提升稳定性、效率与可靠性的核心基础。
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如何将无用电视变成一个美观的复古视频效果设备
不久前，在我的一个项目中，我向大家展示过如何将一台黑白的老式迷你电视改造成复古时钟。这次，我将介绍另一个项目，你可以用旧电视制作出精美的视频效果——即全屏立体声VU电平表。
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Vishay PARÒ和TRANSZORBÒ TVS采用新的DFN6546A超薄封装实现3000 W功率耗散
这些单向和双向器件采用0.88 mm的薄形设计，并具有易于吸附焊锡的侧边焊盘，不仅节省空间，而且能够提供高达137 V的卓越钳位能力
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Vishay ESD静电保护二极管通过IEEE 10BASE-T1S合规性测试
VETH100A1DD1符合 OPEN Alliance关于静电保护器件的全部三项EMC测试规范
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Littelfuse推出用于汽车电源保护的高压TPSMC、TPSMD、TP5.0SMDJ瞬态抑制二极管
美国 伊利诺伊州罗斯蒙特、中国 上海 — 2026年5月12日 — 为安全高效的电能传输提供先进解决方案的领导企业Littelfuse公司 (NASDAQ：LFUS)，今天宣布推出 TPSMC, TPSMD 及 TP5.0SMDJ 高压瞬态电压抑制(TVS)二极管系列，通过专为汽车高压电力电子应用设计的器件(包括电池断路装置(BDU)、高压HVAC系统和正温度系数(PTC)加热器)扩展了TP系列产品组合。(观看视频。)
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硅光电倍增管传感器助力激光雷达大规模应用的路径探析
激光雷达作为自动驾驶、智能安防、环境监测等领域的核心感知设备，其大规模普及的关键的在于突破“高灵敏度、低成本、小型化、高可靠性”四大核心瓶颈。硅光电倍增管(SiPM)作为一种新型固态光电探测器，凭借高增益、单光子探测能力、结构紧凑及抗干扰性强等优势，逐步替代传统雪崩光电二极管(APD)，成为推动激光雷达从实验室走向规模化量产的核心支撑器件。本文结合SiPM的工作原理与技术特性，探析其如何破解激光雷达大规模应用的痛点，实现全场景落地。
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SiC MOSFET体二极管的结构与作用
在电力电子技术飞速发展的当下，宽禁带半导体器件凭借其卓越性能成为行业焦点，其中SiC MOSFET以高开关频率、低导通损耗和耐高温特性，在新能源发电、电动汽车、轨道交通等领域得到广泛应用。体二极管作为SiC MOSFET的关键组成部分，承担着续流、能量回馈等重要功能，其可靠性直接关系到整个电力电子系统的稳定运行。然而，在实际应用中，SiC MOSFET体二极管面临着诸多可靠性挑战，深入探讨其失效机制与提升策略，对推动SiC器件的规模化应用具有重要意义。
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体二极管的形成：半导体结构的自然产物
在电子电路的微观世界里，MOS管(金属-氧化物半导体场效应晶体管)无疑是最核心的"开关"元件，它以极高的效率和精准的控制能力，支撑着从手机充电器到工业变频器的万千设备。而在MOS管的电路符号中，总有一个与漏极(D)、源极(S)并联的二极管，这个看似不起眼的"附属品"，实则是MOS管结构与功能的关键组成部分。它既不是工程师额外添加的"外挂"，也不是制造工艺的"副产品"，而是半导体物理规律在器件结构中的必然体现。
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MOS管并联二极管的原因与作用详解
在现代电子电路中，MOS管(金属-氧化物半导体场效应晶体管)凭借其输入电阻高、功耗低、开关速度快等优势，成为电源管理、信号放大、开关电路等领域的核心器件。细心的从业者会发现，许多MOS管的电路符号中，漏极(D)和源极(S)之间并联着一个二极管。这个看似不起眼的元件，实则是MOS管结构与功能的重要组成部分，其存在既有工艺结构上的必然性，也在实际应用中发挥着关键作用。
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ROHM推出支持10Gbps以上高速I/F的ESD保护二极管
中国上海，2026年4月2日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出兼具业界超低动态电阻(Rdyn)*1和超低电容特性的ESD(静电放电)保护二极管*2“RESDxVx系列”。该系列产品适用于需要高速数据传输的众多应用领域。
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Vishay新款光电晶体管光耦合器提高工业应用的精度和能效
这些器件结合了高线性电流传输比(CTR)和0.5 mA的低正向电流，支持高达+125 °C的工作温度，提供了四种封装选择
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基于ESP32和GC9A01构建一个复古 VU 表
最近，在我之前的一段视频中，我向您展示了一个基于圆形显示屏、使用 ESP32 微控制器和 Adafruit GFX 库的复古 VU 表项目。当时，VU 表是通过库函数绘制出来的，但代码仍然相对复杂，您可以在那段视频中看到结果。
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MOS管整流电路中NMOS与PMOS的核心区别解析
在电力电子整流电路中，MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)凭借导通电阻小、开关速度快、功耗低等优势，逐步替代传统二极管整流，成为高频、高效整流电路的核心器件。NMOS(N沟道MOS管)与PMOS(P沟道MOS管)作为MOS管的两大核心类型，虽均能实现整流功能，但在结构特性、工作原理、性能表现及应用场景上存在显著差异，直接决定了整流电路的效率、稳定性与设计复杂度。
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利用RC吸收网络消除反激开关电源次级二极管振铃的实践研究
反激开关电源因其结构简洁、成本低廉、体积小巧等优势，广泛应用于小家电、适配器、工业辅助电源等中小功率场景。但在实际运行中，次级整流二极管两端易出现高频电压振铃现象，不仅会加剧电磁干扰(EMI)、降低电源效率，还会增大二极管电压应力，严重时可导致二极管雪崩击穿，影响电源整机可靠性。RC吸收网络作为一种结构简单、成本可控的被动抑制方案，能有效阻尼振铃、抑制电压尖峰，是解决该问题的主流技术手段。
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如何准确测量光电二极管的击穿电压？如何提高击穿电压？
以下内容中，小编将对光电二极管的相关内容进行着重介绍和阐述，希望本文能帮您增进对光电二极管的了解，和小编一起来看看吧。
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光电二极管有哪些主要参数？和普通二极管有什么区别
一直以来，光电二极管都是大家的关注焦点之一。因此针对大家的兴趣点所在，小编将为大家带来光电二极管的相关介绍，详细内容请看下文。
