模拟
低RDS(ON) 的20V的MOSFETFDMA6023PZT（飞兆）
时间：2009-04-23 14:50:11
手机看文章
扫描二维码
随时随地手机看文章
[导读]飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为便携应用的设计人员带来具有业界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用紧凑、薄型封装的双P沟道MOSFET，能够满足便携设计的
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为便携应用的设计人员带来具有业界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用紧凑、薄型封装的双P沟道MOSFET，能够满足便携设计的严苛要求，采用延长电池寿命的技术，实现更薄、更小的应用。FDMA6023PZT采用超薄的微型引线框架的MicroFET 封装，相比传统的MOSFET，它具有出色的热阻，能提供超卓的功率耗散，并可减少传导损耗。该器件采用飞兆半导体性能先进的PowerTrench® MOSFET工艺技术，获得极低的RDS(ON) 值、栅级电荷 (QG) 和米勒电荷 (QGD) — 这些都显箸减少传导损耗和提升开关性能。
FDMA6023PZT 是飞兆半导体全面的 MicroFET MOSFET 产品系列的一员，在应对当今功能丰富之便携应用的功率设计挑战方面起着关键的作用，该产品系列包括20V P沟道 PowerTrench MOSFET 器件FDMA1027PT，以及带有肖特基二极管的20V P沟道PowerTrench MOSFET器件FDFMA2P853T。与常用于低压设计的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET器件相比，这些产品的面积减小了 55% 而高度则降低达 50%。
下载文档本站声明： 本文章由作者或相关机构授权发布，目的在于传递更多信息，并不代表本站赞同其观点，本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者，如若文章内容侵犯您的权益，请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读
热门文章
编辑精选
更多
论坛活动
技术子站
更多
资料下载
更多
技术学院
- TrendForce集邦咨询: AI高端MLCC激励日韩大厂订单出货比创新高，2H26缺货风险提升
- TrendForce集邦咨询：3Q26存储器价格受AI服务器支撑，但消费端压力扩大使得涨幅收敛
- TrendForce集邦咨询: 苹果全面调价带来消费端需求变量，预估2026年全球笔记本出货将减少13.6%
- TrendForce集邦咨询: 苹果将导入未来显示色彩基准，加速重构OLED发光材料体系
- TrendForce集邦咨询: AI零部件产能排挤、大厂减产加剧，预估晶圆代工成熟制程涨价效应延伸至2027年
- TrendForce集邦咨询: 英伟达800V Power Rack成Vera Rubin选用方案，预估至Rubin Ultra世代扩大采用
- TrendForce集邦咨询：日本加速布局全固态电池产业链，下一代电池技术全球竞争加剧
- 开漏输出的电路特性与固有优势
