SiC和GaN来到身边
时间：2013-01-22 14:25:53
[导读]2013年1份月已过去大半，笔者想在此介绍一个2013年将受关注的领域。虽然这样的领域很多，但笔者此次要说的是SiC及GaN等新一代功率半导体的动向。该领域之所以会受到关注，是因为在2013年，新一代功率半导体的使用范围
2013年1份月已过去大半，笔者想在此介绍一个2013年将受关注的领域。虽然这样的领域很多，但笔者此次要说的是SiC及GaN等新一代功率半导体的动向。该领域之所以会受到关注，是因为在2013年，新一代功率半导体的使用范围有望继2012年之后继续扩大。
2012年，SiC二极管在铁路领域及工业设备领域的采用趋于活跃。伴随这一趋势，SiC功率元件的开发也在加快。配备SiC二极管以及SiCMOSFET的“全SiC”功率模块产品的亮相，成为2012年一大热点新闻。
而GaN功率元件也一样，在2012年取得了巨大进展。耐压600V的GaN功率晶体管于2012年亮相，而以前产品的最大耐压只有200V。
因此，简单地说，SiC及GaN功率元件与数年前相比，有种一下子来到身边的感觉。这些元件与使用Si的功率元件相比，能够高速开关，因此可大幅减小开关损失。另外还能实现以更高频率开关的“高频工作”。这样一来，电感器等周边部件便可轻松实现小型化。而且这些新型功率元件还可“高温工作”，可使冷却器的体积更小。
而实际上，要想利用高速开关、高频工作及高温工作这些优点，还必须要解决诸多课题。比如，高速开关要求防止浪涌、瞬变及电磁噪声的发生；高频工作存在电抗损失增大的问题；而高温工作则需要使用低价格的周边部件，同时必须要在超过200℃的温度下实现稳定工作。要解决这些课题，就必须积累新技术。
2012年，SiC二极管在铁路领域及工业设备领域的采用趋于活跃。伴随这一趋势，SiC功率元件的开发也在加快。配备SiC二极管以及SiCMOSFET的“全SiC”功率模块产品的亮相，成为2012年一大热点新闻。
而GaN功率元件也一样，在2012年取得了巨大进展。耐压600V的GaN功率晶体管于2012年亮相，而以前产品的最大耐压只有200V。
因此，简单地说，SiC及GaN功率元件与数年前相比，有种一下子来到身边的感觉。这些元件与使用Si的功率元件相比，能够高速开关，因此可大幅减小开关损失。另外还能实现以更高频率开关的“高频工作”。这样一来，电感器等周边部件便可轻松实现小型化。而且这些新型功率元件还可“高温工作”，可使冷却器的体积更小。
而实际上，要想利用高速开关、高频工作及高温工作这些优点，还必须要解决诸多课题。比如，高速开关要求防止浪涌、瞬变及电磁噪声的发生；高频工作存在电抗损失增大的问题；而高温工作则需要使用低价格的周边部件，同时必须要在超过200℃的温度下实现稳定工作。要解决这些课题，就必须积累新技术。
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