意法半导体推出新的射频LDMOS功率晶体管
时间：2021-08-13 16:37:01
[导读]中国，2021年8月13日——意法半导体的STPOWERLDMOS晶体管产品家族新最近新增多款产品，该产品家族有三个不同的产品系列，均是针对各种商用和工业用射频功率放大器(PA)优化设计。STPOWERLDMOS的产品特色是高能效和低热阻，封装芯片可处理高射频功率，兼备短导通沟道...
中国，2021年8月13日——意法半导体的STPOWER LDMOS晶体管产品家族新最近新增多款产品，该产品家族有三个不同的产品系列，均是针对各种商用和工业用射频功率放大器(PA)优化设计。
STPOWER LDMOS的产品特色是高能效和低热阻，封装芯片可处理高射频功率，兼备短导通沟道和高击穿电压，这些特点使射频功率放大解决方案具有成本效益、低功耗和高可靠性。 新的STPOWER LDMOS IDCH和IDDE两个系列是28V/32V共源N沟道增强式横向扩散金属氧化物场效应射频功率晶体管，扩大了产品的目标应用范围。IDCH系列的输出功率是8W到300W，为最高工作频率4GHz的应用专门设计，包括2.45GHz工业、科学和医疗(ISM)设备、无线基础设施、卫星通信、航空电子和雷达设备。该系列LDMOS器件适用于所有类型的调制格式。
IDDE系列包含10W-700W产品，用于频率高达1.5GHz的商业、工业和科学宽带通信，可在所有相位承受10:1的负载VSWR(电压驻波比)，适用于所有典型的信号调制格式，也适用于大多数类别的射频功率放大，包括A类、AB类和C类。高能效可大限度地减少达到目标输出功率所需电能，降低工作成本和散热量，简化热管理设计，实现更紧凑的系统。
意法半导体的IDEV系列也推出了新的50V共源N通道增强式横向场效应射频功率晶体管。IDEV产品组合的输出功率范围是15W到2.2kW，设计用于频率高达250MHz的工业、科学和医疗设备，包括驱动高功率CO2激光器、等离子体发生器、MRI系统、88MHz–108MHz的广播调频无线电发射机，以及频率高达1.5GHz的航空电子设备和雷达。该系列适用于所有典型调制格式以及A类、AB类和C类功放。 在高频(3-30MHz)到250MHz频率范围内，性能强大的IDEV系列能够提供高达2.2kW的连续波(CW)输出功率，而且只采用一个陶瓷封装，因此减少了广播发射机等大功率应用所需的射频功率晶体管的总数量。能效高于82%，有助于将系统电能需求降至最低水平，并确保系统工作可靠，热管理设计简单。
意法半导体在这三个产品系列内总共推出了30款新的STPOWER RF LDMOS产品，采用工业标准封装。
STPOWER LDMOS的产品特色是高能效和低热阻，封装芯片可处理高射频功率，兼备短导通沟道和高击穿电压，这些特点使射频功率放大解决方案具有成本效益、低功耗和高可靠性。 新的STPOWER LDMOS IDCH和IDDE两个系列是28V/32V共源N沟道增强式横向扩散金属氧化物场效应射频功率晶体管，扩大了产品的目标应用范围。IDCH系列的输出功率是8W到300W，为最高工作频率4GHz的应用专门设计，包括2.45GHz工业、科学和医疗(ISM)设备、无线基础设施、卫星通信、航空电子和雷达设备。该系列LDMOS器件适用于所有类型的调制格式。
IDDE系列包含10W-700W产品，用于频率高达1.5GHz的商业、工业和科学宽带通信，可在所有相位承受10:1的负载VSWR(电压驻波比)，适用于所有典型的信号调制格式，也适用于大多数类别的射频功率放大，包括A类、AB类和C类。高能效可大限度地减少达到目标输出功率所需电能，降低工作成本和散热量，简化热管理设计，实现更紧凑的系统。
意法半导体的IDEV系列也推出了新的50V共源N通道增强式横向场效应射频功率晶体管。IDEV产品组合的输出功率范围是15W到2.2kW，设计用于频率高达250MHz的工业、科学和医疗设备，包括驱动高功率CO2激光器、等离子体发生器、MRI系统、88MHz–108MHz的广播调频无线电发射机，以及频率高达1.5GHz的航空电子设备和雷达。该系列适用于所有典型调制格式以及A类、AB类和C类功放。 在高频(3-30MHz)到250MHz频率范围内，性能强大的IDEV系列能够提供高达2.2kW的连续波(CW)输出功率，而且只采用一个陶瓷封装，因此减少了广播发射机等大功率应用所需的射频功率晶体管的总数量。能效高于82%，有助于将系统电能需求降至最低水平，并确保系统工作可靠，热管理设计简单。
意法半导体在这三个产品系列内总共推出了30款新的STPOWER RF LDMOS产品，采用工业标准封装。
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