测试测量
采用单一CMOS的电感测试仪的制作方案
时间：2010-10-08 17:13:31
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[导读]这个测试仪的基础是一个皮尔兹CMOS缓冲振荡器（图一）。这种振荡器采用单一CMOS逆变偏频在其线性区域通过电阻R1 以形成一个高增益反相放大器。由于这个高增益，这个逆变器比一个非缓冲门消耗的功率低，甚至是很小的信
这个测试仪的基础是一个皮尔兹CMOS缓冲振荡器（图一）。这种振荡器采用单一CMOS逆变偏频在其线性区域通过电阻R1 以形成一个高增益反相放大器。由于这个高增益，这个逆变器比一个非缓冲门消耗的功率低，甚至是很小的信号就是可以驱动输出端得高低。
LCπ网络形成了一个平行共振，共振的频率为 fO=1/2π。这个频率对应在CS=C1||C2=50 nF这个时期。所以你可以通过测量共振频率fO计算出电感LX。在共振频率期间，LCπ网络提供一个从输入到输出的180 °相移。振荡器周围振荡回路fO的相移必须为360 °，并且震荡回路的增益必须大于一。这样才能产生震荡。逆变器IC1A提供了一个额外的从输入到输出的180 °相移和一个高增益来补偿衰减网络。
电阻R的值可以从1到10 MΩ。电阻R2的分离输出闸门IC1A使您可以从输出门端获得一个自身产生的清晰的方波。另外，由于R2增加了共振频率周围的偏移相位来提高频率稳定性。为了得到最佳性能，可以使用低自感的薄膜电容器，如mkp1837聚丙烯薄膜电容器系列。低电源电流的电路可以让你用一个电池作为电源。
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