以创新引领功率未来，英飞凌亮相PCIM Asia 2025

【2025年9月28日，中国上海讯】在9月24日至26日举办的“上海国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会（以下简称PCIM Asia 2025）”上，全球功率半导体技术领导者英飞凌以“创新”加持，集中展示了面向绿色能源、电动化出行、AI算力电源等关键应用领域的创新产品及系统解决方案，全面覆盖基于硅及宽禁带半导体材料的高能效、高功率密度产品，凸显了其在当下推动能源转型与智能化发展方面的技术引领作用。

本次展会，英飞凌的创新展示围绕“绿色能源”、 “电动化出行” “赋能AI” 和“硅及宽禁带”四大板块展开。通过覆盖多应用场景的高性能产品组合与多款首次亮相的解决方案，英飞凌充分彰显了其在提升系统能效、功率密度及可靠性方面的持续创新实力，巩固了其在功率半导体技术演进中的领导地位。

2025上海国际电力元件、可再生能源管理展览会英飞凌展台

新品速递：三大关键技术持续演进

硅：CoolSET™ SiP集成了 800 V P7 CoolMOS™ 、ZVS 主控制器和次级 SR 控制器，并采用 CT Link 技术实现隔离通信，在小型 SMD 封装内可实现高达 60 W 的功率输送。ZVS 反激解决方案降低了 BOM和开关损耗，并提高了 EMI 性能，同时实现了高于 94% 的效率，特别适合对空间和能效要求极高的AI服务器辅助电源及高端家电应用。

碳化硅：推出CoolSiC™ MOSFET 2025年度最新产品，包括CoolSiC™ MOSFET G2 1200V和1400V单管多种封装组合以及CoolSiC™ MOSFET 碳化硅模块。其中，1200V产品采用Q-DPAK TSC顶部散热封装，能提供更出色的热性能、系统效率和功率密度；新一代CoolSiC™ MOSFET G2 1400 V经过优化设计，适配1000V以上母线电压，电流承载能力显著提升，产品最低导通电阻可低至6mΩ，性能指标行业领先，适用于光储等高功率场景。CoolSiC™ MOSFET 碳化硅模块运用到了多种先进封装，从最新的Easy 2C到标准的Econo PACK，再到高压2300V/3300V XHP，覆盖从光储到工业、及大功率风电多种应用领域。英飞凌还推出了CoolSiC™ MOSFET G2 750V。它提供车规和工规两个系列，其中Q-DPAK 顶部散热封装产品导通内阻低至4mΩ，达到行业领先水平，具有优异的抗寄生导通能力，支持单级驱动，支持最高节温200度过载运行，帮助客户实现更高的功率密度和集成度。

氮化镓：CoolGaN™ 全系列产品电压覆盖从60V到800V，提供多种封装选择。CoolGaN™ BDS 双向开关利用同一漂移区实现双向耐压与电流控制，简化了其拓扑结构；而高度集成的 CoolGaN™ Drive 模块，则融合了GaN晶体管、智能栅极驱动器与电流感应功能，为高频、高效电源设计树立了新典范。

绿色能源：创新驱动光储系统、电动汽车充电与热泵的高效升级

在绿色能源展区，英飞凌重点展示了光伏、储能、电动汽车充电及热泵领域的高能效解决方案。继2024年发布的CoolSiC™ MOSFET G2技术后，英飞凌陆续在更多细分产品领域深化应用。新一代CoolSiC™ MOSFET G2 1200V/1400V产品具备优异热管理与功率密度，适用于电动汽车充电桩、光伏逆变器、不间断电源等工业场景。

在电动汽车充电领域，英飞凌推出新款CoolSiC™ MOSFET G2 Easy 2C系列1200V碳化硅模块。该模块使用创新的耐高温材料，具备更高的工作虚拟结温和更低损耗，采用全新PressFIT引脚，支持更高电流承载能力，有效降低PCB温度，支持更长的系统寿命要求。

在热泵领域，英飞凌展示了8kW 维也纳 PFC 加双电机控制板，它采用了英飞凌全套整体方案，包括MCU、功率器件、驱动芯片和电流传感器等，具有集成度高的特点。从控制来讲，由单颗PSOC™ C3 MCU完成压缩机、风机和高频Vienna PFC的控制；功率部分，由单颗ECONO2封装模块完成了Vienna PFC和压缩机驱动，风机驱动也是业界最小尺寸的1200V IPM，最终实现非常紧凑的整体设计。

英飞凌CoolSiC™ MOSFET 2025年度最新产品

电动化出行：创新集成，重塑未来交通出行体验

在交通出行展区，英飞凌重点展示了面向主驱、域控和底盘应用上的创新解决方案。

在主驱逆变器方面，英飞凌带来了其嵌入式碳化硅方案，采用英飞凌新一代1200V G2p SiC嵌入印制电路板（PCB），可以有效降低系统杂散电感，支持SiC芯片快速地开关，提高系统效率，降低成本。此外，英飞凌推出了新一代塑封半桥模块SSC，覆盖750V和1200V电压等级，电流覆盖350Arms - 750Arms，模块杂散电感<5nH，模块内部集成Gen3 SiC芯片，并可以兼容GaN芯片。IGBT 半桥塑封模块LFM采用了750V EDT3 IGBT芯片，芯片上集成温度传感器，可精确反馈芯片结温。HybridPACK™ HD 模块是英飞凌针对商用车新推出的半桥模块，内部采用1400V SiC芯片，最大输出电流可达1000Arms以上。

在域控和底盘应用领域，英飞凌展出了两款重点产品48V 线控转向系统电子控制器及48V STC 软开关技术电源，向客户全面展示其完整的全系车用48V半导体解决方案，覆盖配电及驱动2个领域，涵盖电源、主芯片MCU、CAN通讯收发器、48V预驱、48V MOSFET，以及部分48V传感器。除芯片级产品解决方案之外，英飞凌还可提供整车级及零部件级整体48V系统架构参考解决方案。

英飞凌新一代嵌入式碳化硅解决方案

赋能AI：创新电源管理，支撑可持续的算力未来

为应对AI应用激增带来的能源挑战，英飞凌推出覆盖数字化转型全价值链、从电网到AI芯片核心的高能效电源解决方案，提供包括电源供应单元（PSU）、电池备份单元（BBU）、中间母线转换器（IBC）及负载点（POL）模块等系统级供电产品。

其中展示的8kW PSU评估板选用了英飞凌最新的硅、碳化硅和氮化镓功率器件，实现了高频、高效、高功率密度的8kW电源转换。而4kW BBU评估板创新地采用部分功率转换架构，仅对部分负载功率进行升压或降压处理，再与电池串联供电，这大幅降低了BOM成本与板面积占用，提升了系统备份时长，进一步优化了转换效率。1.5kW固定比例IBC模块基于英飞凌专利HSC拓扑，将48V输入按8:1固定比例转换为6V输出，转换效率极高。此外，针对AI板卡热插拔需求，英飞凌推出XDP710数字热插拔控制器，支持客户编程设定开关管的安全工作区（SOA）曲线，有效抑制插拔瞬态电流，提升系统可靠性。可现场通过评估板与GUI软件联动演示其灵活配置能力。

展会期间，英飞凌参与了由PCIM Asia主办的六场论坛演讲，与行业专家和领袖就碳化硅、氮化镓、最新功率器件创新设计、电驱动系统创新、AI服务器电源解决方案以及固态开关等热门话题进行了深入交流，并结合不同行业的挑战与机遇，分享了前沿的创新成果与实践经验。这不仅展现了英飞凌在技术研发中的深厚积淀与创新潜力，更凸显了其以技术推动低碳化与数字化发展的使命担当，为行业的可持续发展注入了新动力。

本次展会充分展现了英飞凌在半导体技术领域的卓越创新能力及领先优势，彰显了其对推动技术创新的持续投入。与此同时，英飞凌以技术赋能低碳化与数字化发展，以实际行动践行产业可持续发展的承诺。未来，英飞凌将携手行业伙伴，探索更高效、更智能的半导体解决方案，为绿色低碳转型注入新动能，共同创造可持续发展的美好未来。