仅次于光刻！我国突破氢离子注入核心技术 100％国产

9月11日消息，据国家电力投资集团官方消息，近日，集团所属国电投核力创芯(无锡)科技有限公司核力创芯暨国家原子能机构核技术(功率芯片质子辐照)研发中心，完成了首批氢离子注入性能优化芯片产品客户交付。

这标志着，我国已全面掌握功率半导体高能氢离子注入核心技术和工艺，补全了我国半导体产业链中缺失的重要一环，为半导体离子注入设备和工艺的全面国产替代奠定了基础。

工程师进行晶圆离子注入生产

氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节，在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体产品制造过程中起着关键作用。

这一领域核心技术、装备工艺的缺失，严重制约了我国半导体产业的高端化发展，特别是600V以上高压功率芯片长期依赖进口。

核力创芯在遭遇外国关键技术、装备封锁的不利条件下，在不到3年的时间里，突破了多项关键技术壁垒，实现了100%自主技术、100%装备国产化，建成了我国首个核技术应用和半导体领域交叉学科研发平台。

首批交付的芯片产品经历了累计近1万小时的工艺、可靠性测试验证，主要技术指标达到国际先进水平，获得用户高度评价。