英飞凌推出业界首款电流密度超2 A/mm²的TLVR四相电源模组，助力提升下一代AI计算性能

【2026年4月1日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)发布搭载TLVR(跨电感稳压器)技术的高电流密度四相电源模组，以满足先进AI数据中心对电力需求的不断增长。TDM24745T是一款全新的OptiMOS™四相电源模组，专为满足下一代AI加速器快速增长的电力需求而设计。该模组将四个功率级、TLVR电感和解耦电容集成到紧凑的9 x 10 x 5 mm³封装中，提供业界领先的电流密度，高达2 A/mm²以上。这项组合实现了卓越的瞬态性能，支持高级GPU和AI处理器所需的高电流核心供电，并适用于横向和垂直的电力传输配置。

作为业界首款采用此类紧凑封装的TLVR四相电源模组，英飞凌的TDM24745T产品提供高达320 A的峰值电流能力

英飞凌科技电源IC与连接系统高级副总裁兼总经理Athar Zaidi表示：“随着AI的工作负荷以前所未有的速度增长，对高效且超紧凑的供电需求比以往任何时候都更加迫切。借助TDM24745T，我们重新定义了高电流稳压的可能性。通过将业界领先的电流密度与先进的TLVR技术集成到极小型的封装中，我们帮助客户更好地发挥计算性能、降低能耗，并加速下一代AI数据中心的部署。”

随着AI数据中心的电力需求不断提升，电力架构也必须变得更加紧凑、灵敏和高效。TDM24745T通过简化电力架构设计和提升功率密度，腾出了额外的PCB空间来容纳更多计算资源，并同时提供极快的瞬态响应。TLVR架构还能将所需的输出电容降低多达50%，帮助系统设计人员实现更高效、节省空间的布局，从而直接为能源节约和降低AI服务器平台的总体拥有成本(TCO)做出贡献。

作为业界首款采用此类紧凑封装的TLVR四相模组，TDM24745T提供高达320 A的峰值电流能力，特别适用于下一代AI处理器和高电流多处理器平台。结合英飞凌的数字多相控制器，该模组支持灵活、可扩展的架构，加速在快速演进的AI环境中完成系统部署。凭借OptiMOS™-6 MOSFET技术、芯片嵌入式集成技术和专有的磁性元件技术，该模组即使在最紧凑的AI服务器设计中仍能提供更佳的效率与热性能，助力打造更节能的AI数据中心。

TDM24745T电源模组已无缝集成于英飞凌端到端AI服务器供电生态系统中，涵盖从电网接口到核心处理器供电的所有环节。英飞凌以硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术的综合优势，提供全面、可扩展的解决方案，助力实现AI优化数据中心架构的出色效率、可靠性和功率密度。